[實用新型]一種利用水導激光的太陽能電池局域場制作裝置有效
| 申請號: | 201520160653.6 | 申請日: | 2015-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN204441312U | 公開(公告)日: | 2015-07-01 |
| 發明(設計)人: | 高文秀;李帥;趙百通 | 申請(專利權)人: | 江蘇盎華光伏工程技術研究中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海科律專利代理事務所(特殊普通合伙) 31290 | 代理人: | 金碎平 |
| 地址: | 214213 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 利用 激光 太陽能電池 局域 制作 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種太陽能電池局域場制作裝置,尤其涉及一種利用水導激光的太陽能電池局域場制作裝置。
背景技術
光伏發電是新能源技術中最具有前途的技術之一,而采用硅基太陽能電池發電占據了90%以上的光伏市場,是未來幾十年最有希望普及的光伏應用產品。隨著硅基太陽能電池效率的不斷提高,發電成本隨之降低。
針對硅基太陽能電池效率提高的技術逐漸更新,其中激光輔助形成局域場是最新的一種接近產業化的高效電池技術。使用激光開孔、激光摻雜、激光熔融等技術形成正發射極局域場或背局域場以達到提高開路電壓,改善填充因子的效果,最終達到提高太陽能電池光電轉換效率的目的。
但是激光輔助的激光開孔、激光摻雜、激光熔融等技術應用在硅太陽能電池上時,常常會出現一些開孔邊緣不整齊,引起氧化,引起位錯層等問題。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題是提供一種利用水導激光的太陽能電池局域場制作裝置,在用于硅太陽能電池局域場制作時,可有效消除由于激光熱效應造成的開孔邊緣不整齊,熔融深度及形狀難以控制的問題。
本實用新型為解決上述技術問題而采用的技術方案是提供一種利用水導激光的太陽能電池局域場制作裝置,包括激光源,其中,所述激光源設于壓力水腔上,所述壓力水腔的頂部設有噴嘴,所述激光源位于噴嘴正上方,所述激光源和噴嘴之間依次設有聚焦透鏡和石英板,所述聚焦透鏡的焦點位于噴嘴處,所述壓力水腔的底部為載臺并形成有載臺凹槽。
上述的利用水導激光的太陽能電池局域場制作裝置,其中,所述激光源產生的激光波長范圍為266~1064nm,所述聚焦透鏡形成的光斑大小為20~100μm。
上述的利用水導激光的太陽能電池局域場制作裝置,其中,所述噴嘴直徑為20~80μm,所述噴嘴距離壓力水腔底部載臺的高度為1~5cm。
上述的利用水導激光的太陽能電池局域場制作裝置,其中,所述壓力水腔的高度為2~30mm,所述載臺凹槽的深度為3mm。
上述的利用水導激光的太陽能電池局域場制作裝置,其中,所述壓力水腔的頂部設有補液管,底部設有溶液流出口。
上述的利用水導激光的太陽能電池局域場制作裝置,其中,所述壓力水腔內裝有高壓去離子水或水溶液。
本實用新型對比現有技術有如下的有益效果:本實用新型提供的利用水導激光的太陽能電池局域場制作裝置,通過壓力水腔及噴嘴形成微細水柱,設置載臺凹槽使得太陽能電池片表面形成覆膜,可有效防止燒蝕表面氧化,消除由于激光熱效應造成的開孔邊緣不整齊,熔融深度及形狀難以控制的問題。
附圖說明
圖1為本實用新型利用水導激光的太陽能電池局域場制作裝置結構示意圖。
圖中:
1?運動導軌???2?太陽能電池片???3?溶液流出口
4?噴嘴???????5?石英板?????????6?激光源
7?聚焦透鏡???8?補液管?????????9?壓力水腔
10?載臺凹槽
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步的描述。
圖1為本實用新型利用水導激光的太陽能電池局域場制作裝置結構示意圖。
請參見圖1,本實用新型提供的利用水導激光的太陽能電池局域場制作裝置,包括激光源6,其中,所述激光源6設于壓力水腔9上,所述壓力水腔9的頂部設有噴嘴4,所述激光源6位于噴嘴4正上方,所述激光源6和噴嘴4之間依次設有聚焦透鏡7和石英板5,所述聚焦透鏡7的焦點位于噴嘴4處,激光通過水柱的引導,到達太陽能電池片2表面,所述壓力水腔9的底部為載臺并形成有載臺凹槽10。
本實用新型提供的利用水導激光的太陽能電池局域場制作裝置,其中,所述激光源6產生的激光波長范圍為266~1064nm,所述聚焦透鏡7形成的光斑大小為20~100μm,激光經過壓力水腔9頂部的高透光率的石英板5進入壓力水腔。所述壓力水腔9的頂部設有補液管8,底部設有溶液流出口3;所述壓力水腔9內裝有高壓去離子水或水溶液。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





