[實(shí)用新型]一種高PID抗性單晶電池的鈍化減反射膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520157325.0 | 申請日： | 2015-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN204441294U | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 瞿輝;徐春;曹玉甲;張一源 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇順風(fēng)光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 常州市維益專利事務(wù)所 32211 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213169 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 pid 抗性 電池 鈍化 減反射膜 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種高PID抗性單晶電池的鈍化減反射膜，其特征在于：包括在單晶硅片襯底正面依次沉積的作為底層的第一層SiOx層；作為中間層的第二層SiOx層以及作為頂層的第三層SiNx層；所述的第一層SiOx層、第二層SiOx層以及第三層SiNx層總膜厚為65～120nm；折射率為1.9～2.2；所述的第三層SiNx層為單層或多層SiNx層。
2.如權(quán)利要求1所述的一種高PID抗性單晶電池的鈍化減反射膜，其特征在于：所述的第一層SiOx層的膜厚為0.2～2nm，折射率為1.48～1.8。
3.如權(quán)利要求1所述的一種高PID抗性單晶電池的鈍化減反射膜，其特征在于：所述的第二層SiOx層的膜厚為2～20nm，折射率為1.4～1.8。
4.如權(quán)利要求1所述的一種高PID抗性單晶電池的鈍化減反射膜，其特征在于：所述的第三層SiNx層的膜厚為30～80nm，折射率為1.9～2.2。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
