[實用新型]對封裝應力不敏感的MEMS芯片

有效

• 申請號: 201520149722.3
• 申請日: 2015-03-16
• 公開（公告）號: CN204569410U
• 公開（公告）日: 2015-08-19
• 發明（設計）人: 華亞平
• 申請（專利權）人: 安徽北方芯動聯科微系統技術有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02
• 代理公司: 蚌埠鼎力專利商標事務所有限公司 34102
• 代理人: 王琪;顏曉玲

1.一種對封裝應力不敏感的MEMS芯片，包括有至少一個下空腔的底板、下電極層、MEMS活動結構層、至少有一個上空腔的蓋板，下電極層中的下電極和MEMS活動結構層中的MEMS活動結構被密封在從下至上依次由底板、第二氧化層、下導電區和下密封區、低溫玻璃、蓋板圍成的一個密封腔內，蓋板通過低溫玻璃與下電極層的下導電區、下密封區結合，其特征在于，底板與下電極層通過硅-二氧化硅鍵合工藝結合，下電極層與MEMS活動結構層相互平行，下電極層包括至少兩個下壓焊座、至少兩個下導電區、下密封區、下電極、下鍵合區、密封區隔離溝、下電極隔離溝、至少兩個導電條，下鍵合區包括導電鍵合柱、下電極錨區，導電鍵合柱中包括第二導電塞，下壓焊座中包括第一導電塞，下電極包括凸塊塞，下電極上有凸塊，通過下電極錨區固定在底板的底板鍵合柱上；MEMS活動結構層包括MEMS活動結構、至少兩個上壓焊座、密封擋塊、第一密封槽、第二密封槽、分隔槽、錨區，密封擋塊分別位于下密封區與下導電區的上方，MEMS活動結構通過錨區、中間氧化層、導電鍵合柱固定在底板鍵合柱上，與導電鍵合柱通過第一導電塞電連接；每個上壓焊座上均設有金屬壓焊塊。

2.根據權利要求1所述的對封裝應力不敏感的MEMS芯片，其特征在于，MEMS活動結構與下電極固定在同一個底板鍵合柱上。

3.根據權利要求1所述的對封裝應力不敏感的MEMS芯片，其特征在于，下導電區包括由密封區隔離溝分割成的第一下導電區、第二下導電區。

4.根據權利要求1所述的對封裝應力不敏感的MEMS芯片，其特征在于，下電極層還包括第一導電條、第二導電條，第一導電條與第一下導電區相連，第二導電條與第二下導電區相連。

5.根據權利要求4所述的對封裝應力不敏感的MEMS芯片，其特征在于，第一導電條與第二導電條呈彈簧狀。

6.根據權利要求1所述的對封裝應力不敏感的MEMS芯片，其特征在于，上壓焊座包括第一上壓焊座、第二上壓焊座。

7.根據權利要求6所述的對封裝應力不敏感的MEMS芯片，其特征在于，金屬壓焊塊包括第一金屬壓焊塊、第二金屬壓焊塊。

8.根據權利要求1所述的對封裝應力不敏感的MEMS芯片，其特征在于，下壓焊座包括第一下壓焊座、第二下壓焊座。

9.根據權利要求1至8任一項所述的對封裝應力不敏感的MEMS芯片，其特征在于，下電極的電信號傳導路徑是第一導電條、第一下導電區、第一下壓焊座、第一導電塞、第一上壓焊座、第一金屬壓焊塊。

10.根據權利要求1至8任一項所述的對封裝應力不敏感的MEMS芯片，其特征在于，MEMS活動結構的電信號傳導路徑是錨區、第二導電塞、導電鍵合柱、第二導電條、第二下導電區、第二下壓焊座、第一導電塞、第二上壓焊座、第二金屬壓焊塊。