[實用新型]一種MOSFET橋電路有效
| 申請號： | 201520149273.2 | 申請日： | 2015-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN204442189U | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發明（設計）人： | 何茂平;李汝虎;蔡舒宏 | 申請（專利權）人： | 博為科技有限公司 |
| 主分類號： | H02M7/217 | 分類號： | H02M7/217 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人： | 劉杰 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mosfet 電路 | ||
1.一種MOSFET橋電路，其特征在于，包括：電位提取電路、MOS管驅動電路、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管；
所述電位提取電路設置有正極電源輸入端口、負極電源輸入端口、高電位提取輸出端口及低電位提取輸出端口；
所述MOS管驅動電路上設置有高電位輸入端口、低電位輸入端口、第一PMOS管柵極驅動端口、第一PMOS管源極驅動端口、第二PMOS管柵極驅動端口、第二PMOS管源極驅動端口、第一NMOS管柵極驅動端口、第一NMOS管源極驅動端口、第二NMOS管柵極驅動端口及第二NMOS管源極驅動端口；
所述高電位提取輸出端口與所述高電位輸入端口連接；所述低電位提取輸出端口與所述低電位輸入端口連接；
所述第一PMOS管柵極驅動端口與所述第一PMOS管的柵極連接；所述第一PMOS管源極驅動端口與所述第一PMOS管的源極連接；所述第二PMOS管柵極驅動端口與所述第二PMOS管的柵極連接；所述第二PMOS管源極驅動端口與所述第二PMOS的源極連接；所述第一NMOS管柵極驅動端口與所述第一NMOS管的柵極連接；所述第一NMOS管源極驅動端口與所述第一NMOS管的源極連接；所述第二NMOS管柵極驅動端口與所述第二NMOS管的柵極連接；所述第二NMOS管源極驅動端口與所述第二NMOS管的源極連接；
所述第一PMOS管的漏極與所述第二PMOS管的漏極連接形成PoE電源正極輸出端；所述第一NMOS管的漏極與所述第二NMOS管的漏極連接形成PoE電源負極輸出端。
2.根據權利要求1所述的MOSFET橋電路，其特征在于，還包括：PoE電源正極輸出端口及PoE電源負極輸出端口；
所述PoE電源正極輸出端口與所述PoE電源正極輸出端連接；所述PoE電源負極輸出端口與所述PoE電源負極輸出端連接。
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