[實用新型]一種四相位射頻器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520142514.0 | 申請日： | 2015-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN204441427U | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 閻躍軍;彭志珊 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市研通高頻技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01P1/18 | 分類號： | H01P1/18;H01P5/12;H01Q3/34 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標事務(wù)所 44237 | 代理人： | 張全文 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)桃源街*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 相位 射頻 器件 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種四相位射頻器件，其包括：晶體芯片，以及制作在該晶體芯片上的巴倫、兩個耦合器和兩個負載，其特征在于：該巴倫的兩個輸出端分別與該兩個耦合器的輸入端相連接，該兩個耦合器的隔離端分別接有一個負載。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四相位射頻器件，其特征在于：該巴倫的輸入端作為本四相位射頻器件的輸入端，其中一個所述耦合器的直通端、耦合端分別作為該四相位射頻器件的兩個輸出端，另一個所述耦合器的直通端、該耦合器的耦合端作為該四相位射頻器件的另外兩個輸出端，該四相位射頻器件相鄰的輸出端的相位相差90度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四相位射頻器件，其特征在于：耦合器是3dB耦合器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四相位射頻器件，其特征在于：該負載是50歐姆負載。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的四相位射頻器件，其特征在于：該晶體芯片經(jīng)封裝前或封裝后的管腳順序按四個相位大小順序順時針或逆時針排列。
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