[實用新型]一種雙層氮化硅薄膜電池結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520138035.1
• 申請日: 2015-03-05
• 公開（公告）號: CN204696127U
• 公開（公告）日: 2015-10-07
• 發(fā)明（設計）人: 陳德榜
• 申請（專利權(quán)）人: 溫州海旭科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領域：

本實用新型涉及太陽能電池結(jié)構(gòu)，尤其是一種雙層氮化硅薄膜電池結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)在制作氮化硅薄膜電池時候，一般采用的是單層膜工藝結(jié)構(gòu)，而采用該結(jié)構(gòu)生產(chǎn)出來的薄膜電池，測量其電性能參數(shù)發(fā)現(xiàn)，在單層膜上太陽光反射率在短波段有明顯增加，測量的外量子效率在短波段相對也較低。

因此，本實用新型在此提出一種改進的一種雙層氮化硅薄膜電池結(jié)構(gòu)。

實用新型內(nèi)容：

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本實用新型的目的就是提供一種能夠效率高、反射率高的雙層氮化硅薄膜電池結(jié)構(gòu)。

本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種雙層氮化硅薄膜電池結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括電池基底(1)，電池基底(1)為硅片，所述電池基底(1)依次鍍上厚度不一的第二折射層(2)、第一折射層(3)，所述第二折射層(2)及所述第一折射層(3)均為氮化硅膜，所述第二折射層(2)比所述第一折射層(3)的厚度薄；所述第一折射層(3)的厚度為55nm，所述第二折射層(2)的厚度為30nm。

通過以上技術(shù)方案，本實用新型的電池基底為硅片，能提高本產(chǎn)品的電性能，本實用新型通過兩步淀積完成制作，即在電池基底表面先鍍一層高折射率厚度較薄的氮化硅膜，增加其鈍化效果，然后在鍍一層低折射率厚度稍后的氮化硅膜增強光學匹配性以減少光的反射。而且由于本實用新型的第一折射層的厚度為55nm，其折射率n＝1.9，所述第二折射層的厚度為30nm，其折射率n＝2.15，?該雙層結(jié)構(gòu)的反射率較單層膜在短波段有明顯降低，測量的外量子效率在短波段比單層膜要高。

附圖說明：

圖1是本實用新型結(jié)果示意圖

圖標號說明：1-電池基底，2-第二折射層，3-第一折射層。

具體實施方式：

如圖1所示，本實用新型提供一種雙層氮化硅薄膜電池結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括電池基底(1)，電池基底(1)為硅片，所述電池基底(1)依次鍍上厚度不一的第二折射層(2)、第一折射層(3)，所述第二折射層(2)及所述第一折射層(3)均為氮化硅膜，所述第二折射層(2)比所述第一折射層(3)的厚度薄；所述第一折射層(3)的厚度為55nm，所述第二折射層(2)的厚度為30nm，由于本實用新型的第一折射層(3)的厚度為55nm，其折射率n＝1.9，所述第二折射層(2)的厚度為30nm，其折射率n＝2.15，該雙層結(jié)構(gòu)的反射率較單層膜在短波段有明顯降低，測量的外量子效率在短波段比單層膜要高，本實用新型通過大批量測試分選統(tǒng)計得出的數(shù)據(jù)顯示，雙層氮化硅膜太陽能電池的要比單層膜的效率要高出0.2個百分點，開路電壓要高出2mV，短路電流比單層膜高出0.039A，其他電性能參數(shù)均優(yōu)于單層氮化硅膜太陽能電池。