[實用新型]一種電流可復用低功耗射頻前端接收電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520137264.1
• 申請日: 2015-03-11
• 公開（公告）號: CN204615816U
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發(fā)明（設計）人: 江金光;熊智慧
• 申請（專利權）人: 武漢大學蘇州研究院
• 主分類號: H04B1/16
• 分類號: H04B1/16
• 代理公司: 武漢科皓知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 魯力

技術領域

本實用新型涉及的是一種射頻前端接收電路，具體涉及的是一種電流可復用低功耗的低噪聲放大器、混頻器以及壓控振蕩器的融合結構，適用于低電壓、低功耗射頻接收機前端電路。

背景技術

隨著消費電子以及其他隨身應用的進一步發(fā)展，許多通信系統(tǒng)進一步的集成在方寸之間，因而要求在盡可能小的面積中集成更多功能，同時各模塊的功能需要達到一定的應用要求。對于射頻前端結構，實現(xiàn)低功耗的方法之一就是使不同的模塊采用同一偏執(zhí)電流。在單個電路模塊中，對低噪聲放大，正交下變頻以及本振信號的產(chǎn)生功能實現(xiàn)集成。射頻輸入、本振信號以及下變頻后的中頻信號均為電路的內部信號，大幅度的降低了功耗。

實用新型內容

針對現(xiàn)有技術上存在的問題與不足，本實用新型目的是在于提供一種電流可復用低功耗的射頻前端接收電路，即僅用一路電流供多個模塊使用以降低功耗并減小電路面積。對于每個模塊，電流足夠保證其性能；而對于多個模塊在不嚴重惡化性能的前提下，電路具有工作電壓低、功耗小的特點。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型是通過如下的技術方案來實現(xiàn)的：

一種電流復用低功耗射頻前端接收電路包括低噪聲放大器，混頻器以及壓控振蕩器。

一種電流復用低功耗射頻前端接收電路，其特征在于：包括依次連接的

低噪聲放大器：所述低噪聲放大器采用源極負反饋電感共源級結構，為雙平衡混頻器開關對提供偏置電流；

混頻器：為雙平衡混頻器，也就是Gilbert混頻器；具體就是對單平衡混頻器結構進行改進形成的雙平衡混頻器，即Gilbert混頻器，與雙平衡壓控振蕩器負載結合可以解決本振泄露的問題，同時增加了本振信號的振幅從而改善電路的噪聲系數(shù)；

壓控振蕩器：兩組雙平衡的交叉耦合NMOS管提供振蕩網(wǎng)絡所需基本負阻電路結構，與電感、可變電容組成壓控振蕩器，同時又接兩組開關對的源極，將進行混頻的本振信號注入。

其中，所述低噪聲放大器的NMOS管M1的漏極連接混頻器中NMOS管M3源極，所述低噪聲放大器的NMOS管M2的漏極連接雙平衡混頻器中NMOS管M5源極。所述壓控振蕩器的NMOS管M7和M8的源極接混頻器種NMOS管M3和M5的漏極，所述壓控振蕩器的NMOS管M9和M10的源極接混頻器種NMOS管M4和M6的漏極。

在上述的電流復用低功耗射頻前端接收電路，所述低噪聲放大器包括第一電感L1、第二電感L2、第一晶體管M1、與第一晶體管M1的柵極和源極并聯(lián)的第一電容C1、第二晶體管M2、與第二晶體管M2的柵極和源極并聯(lián)的第二電容C2、與第一電容C1一端串聯(lián)的第三電感L3以及與第二電容C2一端串聯(lián)的第四電感L4；第一電感L1和第二電感L2一端分別接第一晶體管M1和第二晶體管M2的源極，第一電感L1和第二電感L2的另一端均接地；第三電感L3和第四電感L4一端分別接第一晶體管M1和第二晶體管M2的柵極。

在上述的電流復用低功耗射頻前端接收電路，所述雙平衡混頻器包括第三晶體管M3、第四晶體管M4、第五晶體管M5、第六晶體管M6、中頻負載If?load和第三電容C3；第三晶體管M3的源極接第四晶體管M4的源極，第五晶體管M5的源極接第六晶體管M6的源極；第三晶體管M3的漏極接第五晶體管M5的漏極，第四晶體管M4的漏極接第六晶體管M6的漏極；第四晶體管M4和第五晶體管M5的柵極相連，接壓控振蕩器的振蕩頻率輸出LO-；第三晶體管M3的柵極與第六晶體管M6的柵極相連，接壓控振蕩器頻率輸出LO+；中頻負載結構If?load的兩端分別并聯(lián)在第三晶體管M3和第六晶體管M6的漏極；第三電容C3并聯(lián)在所述中頻負載的兩端；所述中頻負載的兩端為中頻信號的輸出端IF+和IF-。