[實(shí)用新型]降低陽(yáng)極空穴注入的二極管結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520132938.9
• 申請(qǐng)日: 2015-03-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204481031U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程煒濤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/861
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/861;H01L29/02;H01L29/45
• 代理公司: 無(wú)錫市大為專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;張濤

1.一種降低陽(yáng)極空穴注入的二極管結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板內(nèi)包括用于形成PN結(jié)的P導(dǎo)電區(qū)域（2）與N導(dǎo)電區(qū)域（3）；其特征是：在所述P導(dǎo)電區(qū)域（2）與N導(dǎo)電區(qū)域（3）之間設(shè)置有摻雜濃度大于N導(dǎo)電區(qū)域（3）的N+區(qū)域（5）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低陽(yáng)極空穴注入的二極管結(jié)構(gòu)，其特征是：所述半導(dǎo)體基板包括硅基板，在半導(dǎo)體基板的正面設(shè)置用于與P導(dǎo)電區(qū)域（2）歐姆接觸的陽(yáng)極金屬（1），在半導(dǎo)體基板的背面設(shè)置用于與N導(dǎo)電區(qū)域（3）歐姆接觸的陰極金屬（4）。