[實用新型]一種氮化鎵基發光二極管有效

申請號：	201520127109.1	申請日：	2015-03-05
公開（公告）號：	CN204407349U	公開（公告）日：	2015-06-17
發明（設計）人：	黃文賓;謝祥彬;林兓兓;張家宏	申請（專利權）人：	安徽三安光電有限公司
主分類號：	H01L33/04	分類號：	H01L33/04;H01L33/32
代理公司：	無	代理人：	無
地址：	241000 安徽***	國省代碼：	安徽;34
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種氮化發光二極管
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【權利要求書】：

1.一種氮化鎵基發光二極管，包括：襯底、緩沖層、未摻雜GaN層、第一N型GaN層、N型電子阻擋層、第二N型GaN層、量子阱發光層和P型GaN層，還包括位于第二N型GaN層上的N電極和位于P型GaN層上的P電極，其特征在于：所述第二N型GaN層內部設有InGaN/GaN超晶格結構層，所述N電極位于所述InGaN/GaN超晶格結構層形成的接觸面上，所述InGaN/GaN超晶格結構層作為N型接觸層。

2.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述InGaN/GaN超晶格結構層為N型氮化物層。

3.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述InGaN/GaN超晶格結構層中InGaN的厚度為1~10nm，GaN厚度為1~50nm。

4.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述InGaN/GaN超晶格結構層的循環數為2~50。

5.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述緩沖層為GaN結構層或AlN結構層或AlGaN結構層或AlGaN/GaN超晶格結構層。

6.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述N型電子阻擋層為AlGaN結構層或AlGaN/GaN超晶格結構層。

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