[實用新型]一種P柱區階梯摻雜的二維類SJ/RESURF LDMOS器件

有效

• 申請號: 201520124979.3
• 申請日: 2015-03-03
• 公開（公告）號: CN204391120U
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 俞露露;成建兵;劉雪松;袁晴雯
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/06;H01L21/28
• 代理公司: 南京知識律師事務所 32207
• 代理人: 汪旭東

1.一種具有P柱區階梯摻雜的二維類SJ/RESURF?LDMOS器件，其特征在于:包括襯底；襯底之上有阱；襯底之上的一側是低摻雜N^-型外延區、該N^-型外延區內有作為器件漏極的重摻雜注入區，襯底之上另一側的阱中有溝道區、該溝道區中有重摻雜阱和作為器件源極的重摻雜注入區，襯底之上漏極一側的低摻雜N^-型外延區和襯底之上源極一側的溝道區之間是P型重摻雜注入區和N型重摻雜注入區，所述P型重摻雜注入區緊貼襯底排列，所述N型重摻雜注入區緊貼P型重摻雜注入區排列，在源極一側形成超結結構，在漏極一側形成RESURF結構，所述P型重摻雜注入區為階梯摻雜，摻雜濃度從源級一側到漏極一側逐漸降低；溝道區上是柵氧化層和柵電極，柵電極的兩端都在溝道區之上；阱之上為場氧化層。

2.根據權利要求1所述的一種具有P柱區階梯摻雜的二維類SJ/RESURF?LDMOS器件，其特征是:在P型硅襯底(10)上具有N型阱；襯底之上一側為低摻雜的N^-型外延區(11),該N^-型外延區(11)中有一個作為器件漏極的N型重摻雜漏注入區(15)；襯底之上另一側的阱中具有P型溝道區(14)；溝道區(14)中具有P型重摻雜阱(17)和作為器件源極的N型重摻雜注入區(16)；阱中具有N型重摻雜注入區(12)和由源端到漏端階梯分布的P型重摻雜注入區(13)；溝道區(14)上是柵氧化層(19)和柵電極(20)，柵電極(20)的兩端都在溝道區(14)之上；阱之上為場氧化層(18)。

3.根據權利要求1或2所述的一種具有P柱區階梯摻雜的二維類SJ/RESURF?LDMOS器件，其特征是：P柱區為1階或1階以上階梯參雜。