[實(shí)用新型]LED結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520123684.4
• 申請日: 2015-03-03
• 公開（公告）號: CN204596826U
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁海生;馬新剛;李東昇;李芳芳;江忠永
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州士蘭明芯科技有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/46;H01L33/58;H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

第一襯底，所述第一襯底包括第一表面和第二表面，其中，所述第一表面和/或第二表面上具有多個凸形結(jié)構(gòu)，每個表面上的多個凸形結(jié)構(gòu)組成凸面聚光體陣列；

所述第一表面上形成有N型層、有源層、P型層及N區(qū)臺面結(jié)構(gòu)；

電流阻擋層，所述電流阻擋層覆蓋部分P型層以及N區(qū)臺面結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，以在所述P型層上形成了有效電極區(qū)陣列；

電極層，所述電極層覆蓋所述電流阻擋層及有效電極區(qū)陣列，以在有源層中形成了準(zhǔn)點(diǎn)光源陣列，每個準(zhǔn)點(diǎn)光源與對應(yīng)的一凸面聚光體的焦點(diǎn)重合；

多個半球形支撐結(jié)構(gòu)，所述多個半球形支撐結(jié)構(gòu)露出部分電極層，每個半球形支撐結(jié)構(gòu)覆蓋一準(zhǔn)點(diǎn)光源，每個半球形支撐結(jié)構(gòu)的球心與對應(yīng)的一準(zhǔn)點(diǎn)光源重合；

反射層，所述反射層覆蓋多個半球形支撐結(jié)構(gòu)及露出的部分電極層；

槽口結(jié)構(gòu)，所述槽口結(jié)構(gòu)位于所述N區(qū)臺面結(jié)構(gòu)中；

位于所述反射層上的P電極，位于所述槽口結(jié)構(gòu)中的N電極；

第二襯底，所述第二襯底包括P極區(qū)以及與所述P極區(qū)絕緣分離的N極區(qū)；其中，所述P電極與所述P極區(qū)鍵合在一起，所述N電極與所述N極區(qū)鍵合在一起。

2.如權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)?shù)谝槐砻婧偷诙砻嬷兄挥幸粋€表面上具有多個凸形結(jié)構(gòu)時，所述每個凸面聚光體的焦點(diǎn)與對應(yīng)的一準(zhǔn)點(diǎn)光源重合。

3.如權(quán)利要求1所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)?shù)谝槐砻婧偷诙砻嫔暇哂卸鄠€凸形結(jié)構(gòu)時，所述第二表面上的多個凸形結(jié)構(gòu)與所述第一表面上的多個凸形結(jié)構(gòu)組成雙凸面聚光體陣列，每個雙凸面聚光體的焦點(diǎn)與對應(yīng)的一準(zhǔn)點(diǎn)光源重合。

4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述第一表面及N型層之間還形成有緩沖層。

5.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型層、有源層及N型層形成“凸”字形結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電流阻擋層的材料為二氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的一種。

7.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極層為透明導(dǎo)電層。

8.如權(quán)利要求7所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極層的材料為鎳金合金和銦錫氧化物中的一種。

9.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐材料層的材料為二氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的一種。

10.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射層的材料為銀。

11.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括歐姆接觸層，所述歐姆接觸層覆蓋多個半球形支撐結(jié)構(gòu)及露出的部分電極層。

12.如權(quán)利要求11所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述歐姆接觸層的材料為鎳。

13.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P電極及N電極均包括：歐姆接觸層、位于所述歐姆接觸層上的防擴(kuò)散層及位于所述防擴(kuò)散層上的電極功能層。

14.如權(quán)利要求13所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述歐姆接觸層的材料為鎳和鉻中的一種；所述防擴(kuò)散層的材料為鈦、鉑和鎳中的一種；所述電極功能層的材料為鋁、金和銅中的一種。

15.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的LED結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P電極與所述P極區(qū)之間形成有種晶層，所述N電極與所述N極區(qū)之間形成有種晶層。