[實用新型]一種矢量相加移相器中的增益控制電路

有效

• 申請號: 201520121829.7
• 申請日: 2015-03-03
• 公開（公告）號: CN204707098U
• 公開（公告）日: 2015-10-14
• 發明（設計）人: 田學農
• 申請（專利權）人: 蘇州科技學院;田學農
• 主分類號: H03G3/20
• 分類號: H03G3/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種模擬矢量相加移相器的增益控制電路，其特征在于，包括：電流源負載模塊(400)，偏置模塊(402)，反饋調節模塊(401)，核心控制模塊(403)。

2.?根據權利要求1所述的模擬矢量相加移相器的增益控制電路,其特征是：所述反饋調節模塊包括：PMOS晶體管M₃與PMOS晶體管M₄,電阻R_b；PMOS晶體管M₃的源極與電源連接，漏極與PMOS晶體管M₄的柵極和電阻R_b連接，柵極與PMOS晶體管M₄的源極與所述電流源負載模塊連接；PMOS晶體管M₄的漏極與核心控制模塊(403)連接。

3.根據權利要求1所述的模擬矢量相加移相器的增益控制電路，其特征是：所述電流源負載模塊包括：PMOS晶體管M₁與PMOS晶體管M₂，電阻R_a；M₁的柵極與M₂的柵極連接，M₁與M₂的源極連接電源，M₂的漏極與反饋調節模塊(401)連接，M₁的柵極與漏極連接，電阻R_a一端與M1的漏極連接，另外一端連接偏置電壓。

4.根據權利要求1所述的模擬矢量相加移相器的增益控制電路,其特征是：所述核心控制模塊包括：兩個PMOS晶體管M₅與M₆，兩個NMOS晶體管M₇與M₈；M₅與M₆的源極與反饋調節模塊連接，M₅的柵極與控制電壓連接，M₆的柵極與偏置模塊連接；M₅與M₇的漏極連接，M₆與M₈的漏極連接；M₇的漏極與柵極連接，M₇的源極接地；M₈的漏極與柵極連接，M₈的源極接地；M₇與M₈的柵極電壓為矢量幅值控制電壓。

5.根據權利要求1所述的模擬矢量相加移相器的增益控制電路，其特征是：所述偏置模塊包括連接在電源與地之間的兩個串聯電阻，兩個電阻中間的節點與所述核心控制模塊的M₆的柵極連接。