[實用新型]一種帶有輔助定位標記圖案的光刻掩膜版

有效

• 申請號: 201520118909.7
• 申請日: 2015-02-28
• 公開（公告）號: CN204925611U
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 張芷銘;邱俊
• 申請（專利權）人: 安慶美晶新材料有限公司
• 主分類號: G03F1/38
• 分類號: G03F1/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種帶有輔助定位標記圖案的光刻掩膜版，用于制作帶有標記的基底材料從而達到快速標記與定位基底材料上樣品位置的目的。

背景技術

目前，在光學、電學實驗中往往需要將樣品轉移至基底材料上才能進行實驗，基底材料通常使用石英片、云母片、硅片表面氧化一定厚度的二氧化硅材料。所使用的基底材料大小在厘米量級，而轉移到基底材料上的樣品大小只有微米量級。因此，在每次進行光學或電學實驗時都需要在顯微鏡下定位樣品。若所需要研究的樣品過小或特征不明顯，在定位時往往需要花費大量的時間。

光刻技術是指利用紫外光促使光刻膠發生化學反應，從而將掩膜版的圖形轉移到光刻膠上的技術。光刻膠是由溶解在一種或幾種有機溶劑中的光敏聚合物或預聚合物的混合物組成的。光刻膠有兩種類型：一種是負型光刻膠，它們在曝光時發生交聯反應形成較曝光前更難溶的聚合物；另一種是正型光刻膠，它們在曝光時聚合物發生鏈斷裂分解而變得更容易溶解。根據他們的特性，負型光刻膠顯影后曝光部分被固定而費曝光部分被洗掉；正型光刻膠則是曝光的部分在顯影后被洗掉，非曝光部分被固定。

掩膜版是指在光刻過程中作為掩膜的部分，其作用是在一個平面上有選擇性地阻擋紫外光通過，從而實現光刻膠的局部曝光。掩膜版的圖形及尺度由計算機設計完成，常用的設計軟件有L-edit和AutoCAD等。

發明內容

為了解決在光學、電學實驗中所遇到的在基底材料上尋找樣品費時費力的問題，本實用新型提供了一種帶有輔助定位標記圖案的光刻掩膜版，通過光刻和鍍膜的工藝在基底材料上留下帶有數字的圖案，從而能夠方便地標記和尋找樣品。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：使用L-edit軟件繪制出用于標記樣品位置的掩膜版圖案，由十字符號和數字以及直線等圖形元素規律排列而組成。圖案中十字符號有兩種大小，分別為64×64微米和23×23微米，其中較大的十字位于每個數字之間，相鄰的4個較大十字所圍成的區域中有4個較小的十字。相鄰數字之間的距離為500微米，數字由00～99順序從左到右、從下到上順序排列，由直線將整個區域分為兩個部分。使用高分辨率的激光照排機或電子束曝光法將圖案打印在透明膠片上制作掩膜版。通過甩膠、烤膠、曝光及顯影等一系列光刻過程將掩膜版上的圖案光刻于光刻膠上。再使用蒸發鍍膜機將金蒸鍍于覆蓋有光刻膠的晶元上，用丙酮洗去多于的光刻膠和金后使得作為基底的材料上具有能夠以數字標記樣品位置的金屬圖案，達到能夠快速標記和尋找樣品的目的。

本實用新型的有益效果是，可以利用基底材料上的數字標號在顯微鏡下快速找到所要研究的樣品的位置。掩膜版一次制作好后，可以反復多次使用。

附圖說明

以下結合附圖對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型的光刻掩膜版圖形，其中封閉圖形十字和數字表示需要曝光部分。

圖2是本實用新型的光刻掩膜版圖形中數字41處的局部放大圖。

具體實施方式：

使用L-edit軟件在計算機繪制出用于標記樣品位置的掩膜版圖案，使用高分辨率的激光照排機或電子束曝光法將繪制好的圖案打印在透明膠片上，將膠片上的圖案再轉印到石英玻璃或者其他透明的材料上，即可用來作為光刻掩膜版。

實施例：

第一步，制作掩膜版。首先使用L-edit軟件繪制出圖1所示的圖形，并使用激光照排機或電子束曝光法將所繪制的圖形打印在透明膠片上，得到掩膜版。

第二步，光刻前的準備工作。在曝光機開機前，依次打開曝光間內的氮氣閥門，確保曝光機處顯示壓強在0.3Mpa以上，打開機械泵，開啟電源后再開啟汞燈，等待15分鐘，確保汞燈的電流電壓穩定。在甩膠臺內鋪好鋁箔，使用AZ公司的正型光刻膠，打開甩膠臺電源，根據厚度需要選擇甩膠的轉數和時間，開始甩膠。將烘膠臺參數設置為烘膠溫度90度，烘膠時間4分鐘。

第三步，對光刻膠進行光刻。在曝光機中放好掩膜版，確保圖形面朝下以及掩膜版固定。將甩好光刻膠的硅片放在升降臺上推入并在CCD上進行對準。曝光時間設定為6秒，將汞燈部分旋轉至掩膜版上方，進行曝光。取下硅片及掩膜版，使用顯影液進行顯影后用定影液定影。