[實用新型]一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的上加熱區(qū)機構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520109455.7 | 申請日: | 2015-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN204608145U | 公開(公告)日: | 2015-09-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孔令杰;吳克松;丁玉林 | 申請(專利權(quán))人: | 安徽貝意克設(shè)備技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/24 | 分類號: | C23C14/24 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 230088 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 可調(diào) 化合物 蒸發(fā) 鍍膜 紅外 真空 裝置 加熱 機構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及化合物蒸發(fā)鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體的說涉及一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的上加熱區(qū)機構(gòu)。
背景技術(shù)
現(xiàn)有化合物蒸發(fā)鍍膜設(shè)備大都采用電阻絲加熱,由于電阻絲本身具有熱慣性大且升降溫速率慢的特性,使得其溫度上限很低,限制了化合物蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的使用范圍,并且電阻絲具有溫度反應(yīng)敏度低、纏繞復(fù)雜等問題,要占用化合物蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的大量真空腔空間,而且現(xiàn)有化合物蒸發(fā)鍍膜設(shè)備加熱區(qū)區(qū)間位置固定,對不同化合物的加熱需要不同的加熱溫度,而加熱設(shè)備區(qū)間位置固定對不同化合物加熱會造成加熱效果差,且增大了能耗。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的是提供一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的上加熱區(qū)機構(gòu),其結(jié)構(gòu)獨特簡單,能夠?qū)崿F(xiàn)單獨控制,其快速升降溫度,而且加熱部件區(qū)間距離可調(diào),加熱效果好。
為了解決背景技術(shù)所存在的問題,本實用新型采用以下技術(shù)方案:
一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的上加熱區(qū)機構(gòu),所述的上加熱區(qū)機構(gòu)包括有加熱基片,所述的加熱基片上方設(shè)有上加熱區(qū)底座,所述的加熱基片與上加熱區(qū)底座通過卡扣固定連接,所述的上加熱區(qū)底座上設(shè)有紅外加熱管,所述的紅外加熱管兩側(cè)連接有多根紅外加熱管連接棒,所述的紅外加熱管上設(shè)有燈管壓塊,燈管壓塊兩側(cè)開設(shè)有多個圓孔,所述的紅外加熱管連接棒穿過圓孔,所述的燈管壓塊上設(shè)有云母片,所述的上加熱區(qū)底座兩側(cè)上端通過卡扣固定有接線排,所述的云母片的上方設(shè)有升降底板,所述的升降底板通過卡扣與上加熱區(qū)底座固定連接,所述的升降底板上端面中部開設(shè)有連接槽,連接槽上連接有光軸。
所述的加熱基片為平板狀,所述的加熱基片上開設(shè)有多個槽孔,加熱基片的兩側(cè)設(shè)有弧狀L型連接件,可與上加熱區(qū)底座兩側(cè)的卡槽卡合連接。
所述的上加熱區(qū)底座為方形框架,所述的上加熱區(qū)底座的兩相對側(cè)面分別設(shè)有卡槽,所述的上加熱區(qū)底座的內(nèi)側(cè)底部兩端分別設(shè)有上端帶有齒狀的支撐塊,所述的支撐塊上開設(shè)有多個通孔,用于連接上加熱區(qū)機構(gòu)其他部件。
優(yōu)選地,所述的光軸通過螺紋連接連接槽固定在升降底板上。
本實用新型有益效果:本實用新型其結(jié)構(gòu)獨特簡單,能夠?qū)崿F(xiàn)單獨控制,其快速升降溫度,而且加熱部件區(qū)間距離可調(diào),加熱效果好,降低損耗。
附圖說明
圖1為實用新型結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實用新型平面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本實用新型立體結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
參見附圖,一種可調(diào)化合物蒸發(fā)鍍膜紅外真空裝置的上加熱區(qū)機構(gòu),包括有加熱基片1,所述的加熱基片1上方設(shè)有上加熱區(qū)底座2,所述的加熱基片1與上加熱區(qū)底座2通過卡扣3固定連接,所述的上加熱區(qū)底座2上設(shè)有紅外加熱管4,所述的紅外加熱管4兩側(cè)連接有多根紅外加熱管連接棒5,所述的紅外加熱管4上設(shè)有燈管壓塊6,燈管壓塊6兩側(cè)開設(shè)有多個圓孔7,所述的紅外加熱管連接棒5穿過圓孔7,所述的燈管壓塊6上設(shè)有云母片8,所述的上加熱區(qū)底座2兩側(cè)上端通過卡扣3固定有接線排9,所述的云母片8的上方設(shè)有升降底板10,所述的升降底板10通過卡扣3與上加熱區(qū)底座2固定連接,所述的升降底板10上端面中部開設(shè)有連接槽11,連接槽11上連接有光軸12。
所述的加熱基片1為平板狀,所述的加熱基片1上開設(shè)有多個槽孔13,加熱基片1的兩側(cè)設(shè)有弧狀L型連接件14,可與上加熱區(qū)底座2兩側(cè)的卡槽21卡合連接。
所述的上加熱區(qū)底座2為方形框架,所述的上加熱區(qū)底座2的兩相對側(cè)面分別設(shè)有卡槽21,所述的上加熱區(qū)底座2的內(nèi)側(cè)底部兩端分別設(shè)有上端帶有齒狀的支撐塊22,所述的支撐塊22上開設(shè)有多個通孔23,用于連接上加熱區(qū)機構(gòu)其他部件。
優(yōu)選地,所述的光軸12通過螺紋連接連接槽11固定在升降底板10上。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
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C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
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