[實用新型]像素結構和顯示裝置有效
| 申請號: | 201520109027.4 | 申請日: | 2015-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN204391161U | 公開(公告)日: | 2015-06-10 |
| 發明(設計)人: | 皇甫魯江;馬文昱;高昕偉;李良堅;張粲 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 孫紀泉 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 顯示裝置 | ||
1.一種像素結構,其特征在于,包括:
第一絕緣層;
發光單元,設置在所述第一絕緣層上,并包括第一電極層、發光層和第二電極層;
像素界定層,被構造成用于限定像素開口,所述發光單元設置在所述像素開口中;以及
反射組件,環繞所述像素界定層設置,以將從所述發光層入射到所述像素界定層中的光反射成從所述像素結構的出射面射出。
2.如權利要求1所述的像素結構,其特征在于,所述反射組件包括:
第二絕緣層,位于所述像素界定層的外圍且設置在所述第一絕緣層上;
溝槽,形成在所述第二絕緣層和所述像素界定層之間;以及;
反射層,設置在所述溝槽的位于所述第二絕緣層的一側,以反射穿過所述像素界定層的所述光。
3.如權利要求2所述的像素結構,其特征在于,所述溝槽的底部延伸到所述第一絕緣層的至少一部分厚度中。
4.如權利要求1-3中的任一項所述的像素結構,其特征在于,所述像素界定層覆蓋所述第一電極層的外邊緣。
5.如權利要求2或3所述的像素結構,其特征在于,所述第二絕緣層和所述像素界定層形成在同一層并且由相同的材料制成,且所述第二絕緣層與所述像素界定層的高度相同。
6.如權利要求2或3所述的像素結構,其特征在于,所述第二絕緣層和所述像素界定層形成在同一層并且由相同的材料制成,并且所述第二絕緣層的高度大于所述像素界定層的高度。
7.如權利要求2或3所述的像素結構,其特征在于,所述反射層和所述第一電極層形成在同一層并且由相同的材料制成。
8.如權利要求7所述的像素結構,其特征在于,所述第二絕緣層的高度大于所述像素界定層的高度。
9.如權利要求1所述的像素結構,其特征在于,所述反射組件包括:
第二絕緣層,位于所述像素界定層的外圍且設置在所述第一絕緣層上;以及
反射層,設置在所述第二絕緣層的面對所述像素界定層的一側的內壁上,以反射從所述像素界定層射出的所述光,
其中,所述像素界定層的外側表面與所述反射層接觸。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-9中的任一項所述的像素結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





