[實(shí)用新型]基于FPC的半導(dǎo)體探測(cè)器陣列有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201520107523.6 | 申請(qǐng)日: | 2015-02-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN204556839U | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-08-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廖旭輝;龔嵐;徐恒;張友德;王堯君 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 四川中測(cè)輻射科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01T1/02 | 分類(lèi)號(hào): | G01T1/02 |
| 代理公司: | 四川省成都市天策商標(biāo)專(zhuān)利事務(wù)所 51213 | 代理人: | 曾娟 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 fpc 半導(dǎo)體 探測(cè)器 陣列 | ||
1.一種基于FPC的半導(dǎo)體探測(cè)器陣列,其特征在于包括FPC電路板、探測(cè)器環(huán)繞柱和粘貼在FPC電路板上的稀土層,所述探測(cè)器環(huán)繞柱包括圓柱體和兩個(gè)引腳,所述FPC電路板包括圓形電路板和與圓形電路板相連的方形電路板,所述圓形電路板上設(shè)置有第一半導(dǎo)體探測(cè)器,所述方形電路板上橫向等間距地設(shè)置有第二半導(dǎo)體探測(cè)器、第三半導(dǎo)體探測(cè)器、第四半導(dǎo)體探測(cè)器和第五半導(dǎo)體探測(cè)器,所述第一半導(dǎo)體探測(cè)器、第二半導(dǎo)體探測(cè)器、第三半導(dǎo)體探測(cè)器、第四半導(dǎo)體探測(cè)器、第五半導(dǎo)體探測(cè)器相互并聯(lián)組成并聯(lián)電路,所述并聯(lián)電路的兩端分別與探測(cè)器環(huán)繞柱的兩個(gè)引腳電連接,所述圓形電路板粘貼在圓柱體的頂面,所述方形電路板環(huán)繞并粘貼在圓柱體的側(cè)面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于FPC的半導(dǎo)體探測(cè)器陣列,其特征在于:所述圓形電路板的直徑與圓柱體底面直徑相同,所述方形電路板的長(zhǎng)度與圓柱體底面周長(zhǎng)相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于FPC的半導(dǎo)體探測(cè)器陣列,其特征在于所述圓柱體的底面直徑為2mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于FPC的半導(dǎo)體探測(cè)器陣列,其特征在于所述稀土層分別粘貼在第一半導(dǎo)體探測(cè)器、第二半導(dǎo)體探測(cè)器、第三半導(dǎo)體探測(cè)器、第四半導(dǎo)體探測(cè)器、第五半導(dǎo)體探測(cè)器的表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于FPC的半導(dǎo)體探測(cè)器陣列,其特征在于所述探測(cè)器環(huán)繞柱的圓柱體為陶瓷圓柱體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于FPC的半導(dǎo)體探測(cè)器陣列,其特征在于還包括熱縮管,所述熱縮管包覆住FPC電路板、探測(cè)器環(huán)繞柱和稀土層。
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