[實用新型]LED芯片及使用該LED芯片的發光裝置

有效

• 申請號: 201520104556.5
• 申請日: 2015-02-12
• 公開（公告）號: CN204538077U
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發明（設計）人: 吳飛翔;李慶;陳立人;蔡睿彥
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/02
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

技術領域

本發明涉及半導體照明領域，尤其涉及一種LED芯片及使用該LED芯片的發光裝置。

背景技術

LED芯片是LED照明設備的核心，其主要功能是把電能轉化為光能LED芯片中包括P型半導體和N型半導體，其中，P型半導體內空穴占主導地位，N型半導體內主要是電子，這兩種半導體可連接形成P-N結。當電流通過導線作用于LED芯片的時，N型半導體內的電子就會被推向P型半導體，并在P型半導體內跟空穴復合，然后以光子的形式發出能量。

發明內容

本發明的目的在于提供一種LED芯片及使用該LED芯片的發光裝置。

為了解決上述技術問題，本發明一實施方式的LED芯片，包括：

襯底；

設置與所述襯底上的N型半導體層和P型半導體層；

設置于所述N型半導體層和所述P型半導體層之間的發光層；

以及N型電極和P型電極；其特征在于，

所述LED芯片上間隔地設置有至少兩個盲孔，每個盲孔均穿過所述P型半導體層、發光層，及部分所述N型半導體層，且所述N型電極的一部分設置于所述盲孔內與所述N型半導體層電性連接。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述LED芯片上間隔地設置有多個盲孔，所述多個盲孔呈直線型排布。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述N型電極包括條狀部，所述條狀部覆蓋于至少部分的盲孔底壁，及盲孔開口側的部分P型半導體層上方，其中，所述LED芯片還設置有鈍化層，所述鈍化層設置于所述N型電極和P型半導體層之間。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述N型電極還包括連接部，所述連接部設置于所述P型半導體層上，且與所述P型半導體層之間絕緣設置，所述連接部暴露的電連接面積大于所述盲孔內N型電極暴露的電連接面積。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述鈍化層還設置于所述N型電極和發光層之間。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述盲孔開口面積大于所述盲孔底壁的面積。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述鈍化層的絕緣材料為二氧化硅。

作為本發明一實施方式的進一步改進，設置于所述盲孔底壁的N型電極呈中空環形。

作為本發明一實施方式的進一步改進，至少設置于所述發光層上方的所述N型電極為反射型電極。

為了解決上述技術問題，本發明一實施方式的發光裝置，包括封裝結構，以及上述任一技術方案的LED芯片。

與現有技術相比，本發明的技術效果在于，本發明通過設置穿過P型半導體層、發光層和部分N型半導體層的盲孔，增加了LED芯片和發光裝置的發光面積，同時，減少了N型電極對側光的吸收，大大增加了LED芯片和發光裝置的發光效率。

附圖說明

圖1為本發明一實施方式中LED芯片的側剖示意圖。

圖2為本發明一實施方式中未制作N型電極時LED芯片的部分俯視示意圖。

圖3為本發明一實施方式中制作N型電極后LED芯片的部分俯視示意圖。

圖4為沿圖3?A-A線的剖視局部放大示意圖。

圖5為沿圖3?B-B線的剖視局部放大示意圖。

具體實施方式

以下將結合附圖所示的具體實施方式對本發明進行詳細描述。但這些實施方式并不限制本發明，本領域的普通技術人員根據這些實施方式所做出的結構、方法、或功能上的變換均包含在本發明的保護范圍內。

發光裝置，例如LED光源，其包括LED芯片、封裝結構（例如引腳、支架等）等，其中，LED芯片是LED光源的核心，其可通過把電能轉化為光能。下述主要對本發明一實施方式的LED芯片進行詳細說明，其他封裝結構可通過本領域技術人員的公知常識獲知，在此不再贅述。

如圖1所示，在本發明一實施方式中，所述LED芯片包括襯底10、N型半導體層20、發光層30、P型半導體層40，以及N型電極50和P型電極60。

其中，所述襯底10包括上表面和下表面，其材質可為藍寶石、Si、SiC、GaN、ZnO等。

所述N型半導體層20可通過MOCVD在襯底10的上表面形成，其材質可為N型為GaN等。

所述發光層30設置于N型半導體層20的上方，其材質可為GaN、InGaN等。

所述P型半導體層40設置于所述發光層30的上方，其材質可為P型GaN等。