[實用新型]輕量型抗剝離石墨烯晶硅電池有效
| 申請號: | 201520100744.0 | 申請日: | 2015-02-12 |
| 公開(公告)號: | CN204375766U | 公開(公告)日: | 2015-06-03 |
| 發明(設計)人: | 劉興翀;魏欣;魏澤忠 | 申請(專利權)人: | 成都格萊飛科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 成都金英專利代理事務所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
| 地址: | 610041 四川省成都市高新區天*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輕量型抗 剝離 石墨 烯晶硅 電池 | ||
1.輕量型抗剝離石墨烯晶硅電池,其特征在于:它包括位于底面的Al電極(1),Al電極(1)上表面為Si-Al合金層(2),Si-Al合金層(2)上表面為P型硅層(3),P型硅層(3)上表面為N型硅層(4),N型硅層(4)上表面為減反層(5),減反層(5)上表面為石墨烯薄膜層(6),石墨烯薄膜層(6)上還成型有一層復合PVB膠片層(8),復合PVB膠片層(8)為雙層PVB膠片層結構,且在雙層PVB膠片層之間噴有一層均勻成型的CO3S4顆粒(7)。
2.根據權利要求1所述的輕量型抗剝離石墨烯晶硅電池,其特征在于:所述的復合PVB膠片層(8)厚度為9mm。
3.根據權利要求1所述的輕量型抗剝離石墨烯晶硅電池,其特征在于:所述的石墨烯薄膜層(6)的原子層數為6層。
4.根據權利要求1所述的輕量型抗剝離石墨烯晶硅電池,其特征在于:所述的減反層(5)為SiNx薄膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





