[實用新型]一種多結多疊層的薄膜太陽能電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520094915.3
• 申請日: 2015-02-10
• 公開（公告）號: CN204497253U
• 公開（公告）日: 2015-07-22
• 發(fā)明（設計）人: 楊晶晶;李廷凱;譚學仕;毛炳雪;張峰
• 申請（專利權）人: 湖南共創(chuàng)光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/076
• 分類號: H01L31/076
• 代理公司: 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113
• 代理人: 馬強;劉佳芳

1.一種多結多疊層薄膜太陽能電池，包括至少一個微晶PIN結，其特征是，按照沉積膜層的順序，在所述微晶PIN結的p型微晶層后沉積有p型非晶層，并且在所述微晶PIN結的微晶本征層后沉積有n型非晶層。

2.根據(jù)權利要求1所述多結多疊層薄膜太陽能電池，其特征是，所述微晶PIN結包括微晶硅PIN結，微晶碳化硅PIN結和微晶硅鍺PIN結。

3.根據(jù)權利要求1或2所述太陽能電池，其特征是，所述p型非晶層是摻雜硼元素的非晶層。

4.根據(jù)權利要求1或2所述太陽能電池，其特征是，所訴n型非晶層是指摻雜磷元素的非晶層。

5.根據(jù)權利要求1或2所述太陽能電池，其特征是，所述p型非晶層和所述n型非晶層的厚度均為2nm～30nm。

6.根據(jù)權利要求1或2所述太陽能電池，其特征是，所述p型非晶層的禁帶寬度為2～2.1eV，折射率為3.55～3.65，電導率大于2.00x10^‐6S/cm。

7.根據(jù)權利要求1或2所述太陽能電池，其特征是，所述n型非晶層的禁帶寬度不超過1.70eV，折射率為4.60～4.80，電導率大于6.00x10^‐3S/cm。

8.根據(jù)權利要求1或2所述太陽能電池，其特征是，按照沉積?膜層的順序，包括以下電池結構：

(1)基片/TCO/p‐a‐Si_1‐xGe_x/i‐a‐Si_1‐xGe_x/n‐a‐Si_1‐xGe_x/中間反射層/p‐a‐Si/i‐a‐Si/n‐a‐Si/中間反射層/p‐uc‐Si_1‐xGe_x/p型非晶層/i‐uc‐Si_1‐xGe_x/n型非晶層/n‐uc‐Si_1‐xGe_x/中間反射層/p‐uc‐Si/p型非晶層/i‐uc‐Si/n型非晶層/n‐uc‐Si/中間反射層/p‐a‐SiC/i‐a‐SiC/n‐a‐SiC/中間反射層/p‐uc‐SiC/p型非晶層/i‐uc‐SiC/n型非晶層/n‐uc‐SiC/TCO/減反射膜；

(2)基片/TCO/p‐a‐Si_1‐xGe_x/i‐a‐Si_1‐xGe_x/n‐a‐Si_1‐xGe_x/中間反射層/p‐a‐Si/i‐a‐Si/n‐a‐Si/中間反射層/p‐uc‐Si_1‐xGe_x/p型非晶層/i‐uc‐Si_1‐xGe_x/n型非晶層/n‐uc‐Si_1‐xGe_x/中間反射層/p‐uc‐Si/p型非晶層/i‐uc‐Si/n型非晶層/n‐uc‐Si/中間反射層/p‐uc‐SiC/i‐uc–SiC/p型非晶層/i‐uc‐SiC/n型非晶層/n‐uc‐SiC/TCO/減反射膜；

(3)基片/TCO/p‐a‐Si_1‐xGe_x/i‐a‐Si_1‐xGe_x/n‐a‐Si_1‐xGe_x/中間反射層/p‐a‐Si/i‐a‐Si/n‐a‐Si/中間反射層/p型非晶層/i‐uc‐Si_1‐xGe_x/n型非晶層/n‐uc‐Si_1‐xGe_x/中間反射層/p‐uc‐Si/p型非晶層/i‐uc‐Si/n型非晶層/n‐uc‐Si/TCO/減反射膜；

(4)基片/TCO/p‐a‐Si/i‐a‐Si/n‐a‐Si/中間反射層/p‐uc‐Si_1‐xGe_x/p型非晶層/i‐uc‐Si_1‐xGe_x/n型非晶層/n‐uc‐Si_1‐xGe_x/中間反射層/p‐uc‐Si/p型非晶層/i‐uc‐Si/n型非晶層/n‐uc‐Si/TCO/減反射膜；

其中，TCO層與相鄰的中間反射層之間以及相鄰兩中間反射層之間的膜層為一結，0＜x＜1；“/”表示兩層之間的界面；基片是玻璃，不銹鋼或高分子材料。