[實(shí)用新型]改進(jìn)型多晶硅太陽能電池片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520091159.9
• 申請(qǐng)日: 2015-02-10
• 公開（公告）號(hào): CN204375765U
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉挺寧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江西金泰新能源有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/042;H01L31/0216
• 代理公司: 鷹潭市博惠專利事務(wù)所 36112
• 代理人: 王卿

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及太陽一種多晶硅太陽能電池片。

背景技術(shù)

太陽能電池片是一種由于光生伏特效應(yīng)而將太陽光能直接轉(zhuǎn)化為電能的器件，是一種新型電源，具有永久性、清潔性和靈活性三大特點(diǎn)。但現(xiàn)有的太陽能電池片存在以下不足：一是轉(zhuǎn)換效率低；二是生產(chǎn)成本高。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的就是針對(duì)上述情況提供一種轉(zhuǎn)換效率高，生產(chǎn)成本低的多晶硅太陽能電池片。本實(shí)用新型的目的可通過以下方案來實(shí)現(xiàn)：一種改進(jìn)型多晶硅太陽能電池片，包括硅片，硅片的表面設(shè)有反折射膜，反折射膜的上面印有主柵線和次柵線，硅片的背面印有背電極，其特征是所述反折射膜是由二氧化硅空心球薄膜和氮氧化硅薄膜組成的復(fù)合層，所述二氧化硅空心球薄膜的厚度為18—20nm，所述氮氧化硅薄膜的厚度為36—40nm，這種結(jié)構(gòu)的反折射膜能有效提高光電轉(zhuǎn)換效率；所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀，所述主柵線具有三根，其中一根設(shè)置在所述硅片的對(duì)稱線上，另外二根分置在所述對(duì)稱線上的主柵線兩側(cè)，且各相距52mm，所述次柵線為等距離分布，所述主柵線包括細(xì)實(shí)線和間隔設(shè)置在細(xì)實(shí)線上的多個(gè)寬度大于細(xì)實(shí)線的粗實(shí)線段，所述細(xì)實(shí)線的寬度為0.3mm，所述粗實(shí)線段的寬度為0.8mm，每根次柵線的線寬為40um，每根次柵線的兩端距離硅片邊緣均為1.5mm，這種主柵線和次柵線的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，即可以節(jié)省印刷漿料，降低生產(chǎn)成本，也可以減少遮光面積，提升轉(zhuǎn)換效率，所述背電極為一種由若干銀珠均勻分布構(gòu)成設(shè)定長(zhǎng)度和寬度的銀帶，所述銀珠為圓柱形，相鄰銀珠之間保持設(shè)定的間距，所述背電極長(zhǎng)度為12.5mm，寬度為2.8mm，構(gòu)成背電極的銀珠直徑為0.25mm，橫向和縱向的任何相鄰的兩個(gè)銀珠的間距為0.35mm。采用圓柱形銀珠密集排布的結(jié)構(gòu)，既考慮到背電極與背場(chǎng)的接觸，又在一定程度上減少了背電極的面積，減少了銀漿的用量，相對(duì)地增加了鋁背場(chǎng)的面積，從而了減少了電流復(fù)合，增大了開路電壓和短路電流，最終達(dá)到提高電池片的效率的目的。本實(shí)用新型具有制造成本低，轉(zhuǎn)換效率高等特點(diǎn)。

附圖說明

圖1，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2，本實(shí)用新型正面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3，背電極結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

對(duì)照?qǐng)D1、圖2、圖3可知，一種改進(jìn)型多晶硅太陽能電池片，包括硅片1，硅片的表面設(shè)有反折射膜2，反折射膜的上面印有主柵線3和次柵線4，硅片的背面印有背電極5，其特征是所述反折射膜是由二氧化硅空心球薄膜和氮氧化硅薄膜組成的復(fù)合層，所述二氧化硅空心球薄膜的厚度為18—20nm，所述氮氧化硅薄膜的厚度為36—40nm，所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀，所述主柵線具有三根，其中一根設(shè)置在所述硅片的對(duì)稱線上，另外二根分置在所述對(duì)稱線上的主柵線兩側(cè)，且各相距52mm，所述次柵線為等距離分布，所述主柵線包括細(xì)實(shí)線和間隔設(shè)置在細(xì)實(shí)線上的多個(gè)寬度大于細(xì)實(shí)線的粗實(shí)線段，所述細(xì)實(shí)線的寬度為0.3mm，所述粗實(shí)線段的寬度為0.8mm，每根次柵線的線寬為40um，每根次柵線的兩端距離硅片邊緣均為1.5mm，所述背電極為一種由若干銀珠6均勻分布構(gòu)成設(shè)定長(zhǎng)度和寬度的銀帶，所述銀珠為圓柱形，相鄰銀珠之間保持設(shè)定的間距，所述背電極長(zhǎng)度為12.5mm，寬度為2.8mm，構(gòu)成背電極的銀珠直徑為0.25mm，橫向和縱向的任何相鄰的兩個(gè)銀珠的間距為0.35mm。