[實用新型]一種高性能太陽能電池組件有效
| 申請號: | 201520091105.2 | 申請日: | 2015-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN204481035U | 公開(公告)日: | 2015-07-15 |
| 發明(設計)人: | 曹伯麟;楊玉勤 | 申請(專利權)人: | 無錫德明科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/049;H01L31/052 |
| 代理公司: | 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 黃冠華 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 性能 太陽能電池 組件 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種高性能太陽能電池組件。
背景技術
太陽能組件在太陽光照射下發電,同時也伴隨著產生熱量。這種使電池板自身溫度升高會導致光電轉換效果效率降低。有數據表明,電池板的溫度每升1℃,光電轉化率下降0.4%。目前光伏太陽能轉換率在14%-18%之間,因此降低電池板自身工作溫度,讓電池板的溫度有效散發出來,保證光轉換效率是一個不可忽略的因素。目前有實驗改變電池片下層EVA導熱性的方法來解決散熱問題,因為100%EVA膜導熱系數只有0.32W/m*K。如果加入合適的導熱材料能使EVA的導熱系數提高到2.8W/m*K,這會是一個十分理想效果。但是把導熱材料加入到EVA后,會影響到EVA拉伸度,耐水性能,以及絕緣強度。
實用新型內容
本實用新型目的是針對現有技術存在的缺陷提供一種高性能太陽能電池組件。
本實用新型為實現上述目的,采用如下技術方案:一種高性能太陽能電池組件,包括設置在第一層的超白玻璃層,設置在第二層的高透EVA膠膜層,設置在第三層的電池片層,設置在第四層的低導熱EVA膠膜層,以及設置在第五層的導熱背板層;其中,所述低導熱EVA膠膜層的厚度在0.35-0.4mm之間。
進一步的,所述導熱背板層包括由上至下依次層疊的導熱E膜,PET膠膜,以及PVDF膠膜。
進一步的,所述導熱E膜的厚度為0.2mm,所述PET膠膜的厚度為0.2mm,所述PVDF膠膜的厚度為0.025mm。
本實用新型的有益效果:本實用新型在電池片層的下層設置了低導熱EVA膠膜層,不僅讓太陽能電池組件保持原有的性能,避免發生絕緣電阻下降,耐水性能降低,出現PID的現象。另外,本實用新型通過改善導熱背板的導熱結構,從而使得導熱背板的導熱系數由低至高,滿足原有電池板的要求,又能解決散熱、確保光能轉化的效率。
附圖說明
圖1未本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
圖1所示,涉及一種高性能太陽能電池組件,包括設置在第一層的超白玻璃層1,設置在第二層的高透EVA膠膜層2,設置在第三層的電池片層3,設置在第四層的低導熱EVA膠膜層4,以及設置在第五層的導熱背板層5。
其中,所述低導熱EVA膠膜層4由如下質量百分比的各組份組成:EVA?80%,ZnO母粒20%,過氧化物交聯劑1.2-1.5%,抗老化劑1%,以及交聯促進劑1%。
制造時,將上述各組分的物質經過混合均勻后,通過流延或壓延工藝制膜,制得的低導熱EVA膠膜層4的厚度在0.35-0.4mm之間。這樣制得的低導熱EVA膠膜層4的體積電阻率:1*1013~1*1014,吸水率:<0.02%,交聯度:140℃18min75~85%,導熱系數:0.6W/m*K。
上述低導熱EVA膠膜層4是相對于純EVA?0.32W/m*K和導熱最好的EVA2.8W/m*K而言,在不影響EVA原有絕緣強度和耐水性提前下對EVA進行適當導熱改性。
另外,所述導熱背板層5是由0.2mm的導熱E膜,0.2mm的PET膠膜,以及0.025mm的PVDF膠膜依次層疊而成。制造時,將導熱E膜、PET膠膜和PVDF膠膜經過二次復合,在經60℃100小時老化處理即成導熱背板。
其中,所述導熱E膜由如下質量百分比的各組份組成:茂金屬m-PE?78%,ZnO母粒20%,以及抗老化劑2%。制造時,按上述比例將茂金m-PE和處理過的ZnO母粒、以及抗老化劑混合均勻后,由105℃開練20min,開練好的材料經壓延或流延成厚度0.2mm的導熱E膜。這樣制得的導熱E膜的體積電阻1*1013~1*1014,耐水性<0.01%,導熱系數1.0W/m*K。
另外,還需要對ZnO母粒進行活化處理;首先,選擇直徑1um以下的ZnO母粒40份,含10%NDZ40-1的醇溶液100份(四異丙基(二辛基亞磷酸酰氧基))鈦酸酯。
工藝為:將上述ZnO母粒和含10%NDZ40-1的醇溶液升溫60℃,然后充分攪拌混合20min,脫醇去水,真空干燥100℃/600mmHg?2小時,粉碎成原粒。成品活性氧化鋅ZnO水含量<0.02%。
以上所述僅為本實用新型的較佳實施例,并不用以限制本實用新型,凡在本實用新型的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





