[實用新型]一種抗PID的太陽能電池組件有效
| 申請號: | 201520090390.6 | 申請日: | 2015-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN204481034U | 公開(公告)日: | 2015-07-15 |
| 發明(設計)人: | 曹伯麟;楊玉勤 | 申請(專利權)人: | 無錫德明科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/049 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pid 太陽能電池 組件 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種抗PID的太陽能電池組件。
背景技術
目前,太陽能組件在高溫高濕狀態下會產生PID現象,這種現象使發電效率降低,投資回收成本時間延長。所以是目前關注的重點。如何解決PID現象,人們想了許多方法,用石英玻璃代替超白玻璃,PID就沒有了,提高電池片折射率降低電池轉換率也可解決,最接近的辦法不用EVA封裝用POE封裝,也不出現PID現象,所以人們總結出產生這種現象的是電池組件在高溫高濕狀態下,水蒸氣通過封邊硅膠和背板進入組件內部,造成EVA中的醋酸乙烯酯(EVA是乙烯和醋酸乙烯的聚合物)受水蒸汽水解成醋酸根與玻璃表面Na+產生可移動鈉離子電場攻擊電池片表面。所以隔斷Na+移動可以避免產生PID現象,也就是不采用可水解出羧酸根基團Na+無法移動,就可避免產生PID現象,所以不含水解基因的POE也可解決PID現象。可是POE是熱塑性彈性體,有著典型的高分子材料特性,受力受熱狀態會產生蠕變,蠕變會使組件里的電池片位移、空膠、流膠,破壞密封、絕緣狀態降低。而采用提高電池片的折射率也使發電功率損失,所以目前換成EVA中醋酸含量低一點,醋性小一點,水解慢一點、小一點,電池片也在不降低轉換率前提下,再將電池片的折射率提高一點,最終通過雙85,96小時PID測試。
實用新型內容
本實用新型目的是針對現有技術存在的缺陷提供一種抗PID的太陽能電池組件。
本實用新型為實現上述目的,采用如下技術方案:一種抗PID的太陽能電池組件,包括由上至下依次層疊的超白玻璃層,抗PID的EVA膠膜層,抗PID的電池片層,以及抗PID的一體式背板層;所述抗PID的一體式背板層包括由上至下依次層疊的可交聯抗PID的EVA膠膜層以及保護背板層;其中,所述可交聯抗PID的EVA膠膜層的厚度為0.4~0.5mm。
一種抗PID的太陽能電池組件,包括由上至下依次層疊的超白玻璃層,抗PID的E膜層,普通電池片層,以及抗PID的一體式背板層;所述抗PID的一體式背板層包括由上至下依次層疊的可交聯抗PID的EVA膠膜層以及保護背板層;其中,所述可交聯抗PID的EVA膠膜層的厚度為0.4~0.5mm。
優選的,所述可交聯抗PID的EVA膠膜層的厚度為0.45mm。
進一步的,所述保護背板層包括由上至下依次層疊的普通E膜,PET膠膜,以及PDVF膠膜。
進一步的,所述普通E膜的厚度為0.05-0.15mm,所述PET膠膜的厚度為0.2mm,所述PDVF膠膜的厚度為0.025mm。
本實用新型的有益效果:本實用新型將可交聯抗PID的EVA膠膜層和保護背板層合二為一成可交聯的一體式背板層,使得合成后的一體式背板層比原來兩個單獨形式的材料成本節省1/5;且合二為一后也節省了人工裁剪成本。另外,合二為一后不僅解決了電池片下層的PID問題,只須將電池片上層的抗PID的EVA膠膜或E膜層進一步減少水解基團,降低或屏蔽Na+移動,就可用普通電池片代替抗PID電池片制成組件,以節省電池片成本。
附圖說明
圖1為本實用新型的第一種結構示意圖。
圖2為本實用新型的第二種結構示意圖。
具體實施方式
圖1所示,涉及第一種抗PID的太陽能電池組件,包括由上至下依次層疊的超白玻璃層1,抗PID的EVA膠膜層21,抗PID的電池片層31,以及抗PID的一體式背板層6;所述抗PID的一體式背板層6包括由上至下依次層疊的可交聯抗PID的EVA膠膜層4以及保護背板層5。
圖2所示,涉及第二種抗PID的太陽能電池組件,包括由上至下依次層疊的超白玻璃層1,抗PID的E膜層22,普通電池片層32(不具有抗PID功能),以及抗PID的一體式背板層6;所述抗PID的一體式背板層6包括由上至下依次層疊的可交聯抗PID的EVA膠膜層4以及保護背板層5。
進一步的,所述保護背板層5包括由上至下依次層疊的普通E膜52,PET膠膜53,以及PDVF膠膜54。
另外,為了使得產品性能達到最佳,本實用新型中的所述可交聯抗PID?EVA膠膜層4的厚度為0.4-0.5mm,優選的為0.45mm。而所述普通E膜52的厚度為0.05-0.15mm,優選的為0.10mm。PET膠膜53的厚度為0.2mm。PDVF膠膜54的厚度為0.025mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





