[實用新型]一種高亮度發光二極管

有效

• 申請號: 201520083433.8
• 申請日: 2015-02-06
• 公開（公告）號: CN204441319U
• 公開（公告）日: 2015-07-01
• 發明（設計）人: 馬祥柱;白繼鋒;楊凱;李俊承;張雙翔;張銀橋;王向武
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/42
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務所 32106
• 代理人: 江平

1.一種高亮度發光二極管，在永久襯底GaAs的一面依次設置N-GaAs過渡層、AlAs/AlGaAs反射層、N-AlGaInP下限制層、MQW多量子阱有源層、P-AlGaInP上限制層、P-GaInP緩沖層、摻雜鎂的P-GaP電流擴展層、氧化銦錫透明薄膜和第一電極，在永久襯底GaAs的另一面設置第二電極，其特征在于在所述摻雜鎂的P-GaP電流擴展層和氧化銦錫透明薄膜之間設置圖形化的接觸點。

2.根據權利要求1所述高亮度發光二極管，其特征在于所述摻雜鎂的P-GaP電流擴展層的厚度為2000nm～4000nm。

3.根據權利要求1所述高亮度發光二極管，其特征在于所述氧化銦錫透明薄膜的厚度為250～300nm。

4.根據權利要求1所述高亮度發光二極管，其特征在于所述接觸點為圓柱形，直徑為3～5μm，高度為200～400nm。