[實用新型]一種新型弱磁場精密測量電路

有效

• 申請號: 201520082114.5
• 申請日: 2015-02-05
• 公開（公告）號: CN204389664U
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發明（設計）人: 程體陽;史儀男;王曦桐;楊帆;胡佳佳;劉凱
• 申請（專利權）人: 重慶大學
• 主分類號: G01R33/09
• 分類號: G01R33/09;G05B23/02
• 代理公司: 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275
• 代理人: 趙榮之

技術領域

本實用新型涉及磁場的測量，特別涉及一種新型弱磁場精密測量電路。

背景技術

弱磁場是指磁場等級在地磁場附近(0.5Oe)或較弱于地磁場的磁場強度大小。而絕大多數的磁場均位于弱磁場區間。隨著科學技術的發展,人們在磁場測量方面作了大量的工作,設計出了各種不同的磁場傳感器,并廣泛的應用于磁場測量之中。在探測磁場的大小、方向以及在探礦、地下鉆孔、位置檢測、無損探傷，磁場成像、航海系統等方面往往需要測得一個準確度很高的磁場值。

由于弱磁場等級較低，信號較小，同時噪聲干擾與磁場信號相近，相對誤差較大，變化較大，因此合適的磁場測量及誤差處理電路是目前的重點。

現在常見的弱磁場測量方法，主要有磁通門法、霍爾效應法、巨磁阻效應法。但此三種方法均有明顯的缺點：

磁通門法：磁通門法的繞制方法十分復雜，同時性能較好的磁通門其體積較大，成本較高，更重要的是磁通門必須靜置測量，否則誤差較大

霍爾效應法：霍爾效應法對mT級磁場敏感，對高斯及以下磁場不敏感，即其弱磁場敏感性不好

巨磁阻效應法：巨磁阻效應是制作磁盤的方法之一，在測量磁場中，因為其材料具有十分顯著的磁滯特性，導致其記憶效應明顯，誤差較大。

隨著技術的不斷進步，磁場測量傳感器也必將朝著低成本，低誤差，操作簡單，體積較小的方式前進，那些不利于測量或成本較高的方法將會得到改進甚至淘汰，而克服了上述缺點的測量方法也將得到更為廣闊的發展空間。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型的目的在于提供一種新型弱磁場精密測量電路

為達到上述目的，本實用新型提供如下技術方案，一種新型弱磁場精密測量電路，包括磁阻式傳感器、放大電路、濾波電路、測量電路、offset電路和set/reset電路，所述磁阻式傳感器的輸出端與放大電路的輸入端連接，放大電路的輸出端與濾波電路連接，濾波電路的輸出端與數據處理電路連接，offset電路、set/reset電路分別與磁阻式傳感器連接。

進一步，所述set/reset電路包括NMOS管、PMOS管、第一電容、第二電容、第三電容和第一電阻；所述PMOS管的源極與NMOS管的漏極連接，所述NMOS管的源極與第三電容的一端連接，第三電容的另一端與PMOS管的漏極連接，PMOS管的漏極經第一電阻與+5V電源連接，PMOS管的源極與NMOS管的漏極與第一電容的一端連接，第一電容的另一端與磁阻式傳感器的set/reset端連接，第一電容與第二電容并聯，NMOS管的柵極與PMOS管的柵極與脈沖電源連接，NMOS管的源極接地。

進一步，所述offset電路包括第一滑動變阻器和第二滑動變阻器；所述第一滑動變阻器的兩個固定接線柱分別接+1V電源和-1V電源，滑片接磁阻式傳感器的第一offset帶；所述第二滑動變阻器的兩個固定接線柱分別接+1V和-1V電源，滑片接磁阻式傳感器的第二offset帶。