[實用新型]肖特基二極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520079978.1 | 申請日： | 2015-02-04 |
| 公開（公告）號： | CN204516775U | 公開（公告）日： | 2015-07-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | A·伊萬;D·阿爾奎爾;Y·科爾迪耶 | 申請（專利權(quán)）人： | 意法半導(dǎo)體(圖爾)公司;國家科學(xué)研究中心;法國國立圖爾大學(xué) |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華;呂世磊 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 法國;FR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 肖特基 二極管 | ||
1.一種肖特基二極管(400)，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體襯底(401)，由堆疊覆蓋，所述堆疊從所述襯底的第一表面按以下順序包括緩沖層(403)、第一N型摻雜GaN層(405)、以及具有比所述第一N型摻雜GaN層低摻雜水平的第二N型摻雜GaN層(407)；
肖特基接觸(409)，在所述第二N型摻雜GaN層(407)的與所述襯底相對的第一表面上；
第一金屬層(411)，將所述第一N型摻雜GaN層(405)的與所述襯底相對的第一表面連接至所述襯底(401)，所述金屬層(411)位于外圍開口(410)中，所述外圍開口(410)位于所述堆疊的未由所述肖特基接觸(409)覆蓋的區(qū)域中，該開口(410)從所述第二N型摻雜GaN層(407)的所述第一表面延伸至所述襯底(401)；以及
第二金屬層(413)，覆蓋與所述襯底(401)的第一表面相對的所述襯底(401)的第二表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管(400)，其特征在于，還包括覆蓋與所述襯底(401)的第一表面相對的所述襯底(401)的第二表面的第二金屬層(413)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管(400)，其特征在于，所述開口(410)包括穿過所述第二N型摻雜GaN層(407)并且出現(xiàn)在所述第一N型摻雜GaN層(405)的第一表面上的第一外圍部分、以及穿過兩個所述GaN層(405、407)和所述緩沖層(403)并且一直延伸至所述襯底(401)的中心部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管(400)，其特征在于，所述開口(410)停止于所述襯底(401)的所述第一表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管(400)，其特征在于，所述開口(410)一直延續(xù)至所述襯底(401)的中間水平面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管(400)，其特征在于，所述襯底(401)由硅制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的肖特基二極管(400)，其特征在于，所述第一金屬層(411)不用于連接至外部部件。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
