[實用新型]一種復(fù)合溝道MHEMT微波振蕩器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520079927.9
• 申請日: 2015-02-04
• 公開（公告）號: CN204348720U
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李海鷗;吉憲;李琦;李躍;黃偉;馬磊;首照宇;吳笑峰;李思敏
• 申請（專利權(quán)）人: 桂林電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務(wù)所有限公司 45107
• 代理人: 陳躍琳

1.一種復(fù)合溝道MHEMT微波振蕩器，該微波振蕩器的有源固體器件由砷化鎵襯底的變組分高電子遷移率晶體管構(gòu)成；其特征在于：所述砷化鎵襯底的變組分高電子遷移率晶體管自下而上依次由襯底層、漸變緩沖層、緩存層、第一溝道層、第二溝道層、隔離層、勢壘層、刻蝕停止層、第一帽層和第二帽層構(gòu)成；漏極和源極分設(shè)在第二帽層的上方；第一帽層、第二帽層和刻蝕停止層內(nèi)開設(shè)有柵槽，T形的柵極嵌入該柵槽內(nèi)，柵極的柵腳與勢壘層接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合溝道MHEMT微波振蕩器，其特征在于：勢壘層與隔離層間采用Siδ摻雜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合溝道MHEMT微波振蕩器，其特征在于：第一溝道層為變In組分的In_0.6Ga_0.4As導(dǎo)電溝道，第二溝通層為變In組分的In_0.7Ga_0.3As導(dǎo)電溝道，第一溝道層和第二溝通層形成復(fù)合導(dǎo)電溝道結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合溝道MHEMT微波振蕩器，其特征是，源金屬和漏金屬各由Ni、AuGe、Ni和Au自下而上疊加而成；柵金屬由Pt、Ti、Pt和Au自下而上疊加而成。