[實用新型]一種復合溝道MHEMT微波振蕩器有效
| 申請號: | 201520079927.9 | 申請日: | 2015-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN204348720U | 公開(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發明(設計)人: | 李海鷗;吉憲;李琦;李躍;黃偉;馬磊;首照宇;吳笑峰;李思敏 | 申請(專利權)人: | 桂林電子科技大學 |
| 主分類號: | H01L27/04 | 分類號: | H01L27/04 |
| 代理公司: | 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107 | 代理人: | 陳躍琳 |
| 地址: | 541004 廣*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復合 溝道 mhemt 微波 振蕩器 | ||
1.一種復合溝道MHEMT微波振蕩器,該微波振蕩器的有源固體器件由砷化鎵襯底的變組分高電子遷移率晶體管構成;其特征在于:所述砷化鎵襯底的變組分高電子遷移率晶體管自下而上依次由襯底層、漸變緩沖層、緩存層、第一溝道層、第二溝道層、隔離層、勢壘層、刻蝕停止層、第一帽層和第二帽層構成;漏極和源極分設在第二帽層的上方;第一帽層、第二帽層和刻蝕停止層內開設有柵槽,T形的柵極嵌入該柵槽內,柵極的柵腳與勢壘層接觸。
2.根據權利要求1所述的一種復合溝道MHEMT微波振蕩器,其特征在于:勢壘層與隔離層間采用Siδ摻雜。
3.根據權利要求1所述的一種復合溝道MHEMT微波振蕩器,其特征在于:第一溝道層為變In組分的In0.6Ga0.4As導電溝道,第二溝通層為變In組分的In0.7Ga0.3As導電溝道,第一溝道層和第二溝通層形成復合導電溝道結構。
4.根據權利要求1所述的一種復合溝道MHEMT微波振蕩器,其特征是,源金屬和漏金屬各由Ni、AuGe、Ni和Au自下而上疊加而成;柵金屬由Pt、Ti、Pt和Au自下而上疊加而成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





