[實用新型]一種超高溫氣霧化陶瓷材料的專用環縫噴嘴

有效

• 申請號: 201520071744.2
• 申請日: 2015-02-02
• 公開（公告）號: CN204421609U
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 許興康
• 申請（專利權）人: 蘇州化聯高新陶瓷材料有限公司
• 主分類號: F27B14/08
• 分類號: F27B14/08
• 代理公司: 南京眾聯專利代理有限公司 32206
• 代理人: 呂書桁

技術領域

本實用新型涉及一種陶瓷顆粒生產設備，尤其涉及一種超高溫氣霧化噴嘴的結構設計。

背景技術

現有高溫氣霧化噴嘴目前只用于金屬材料，如不銹鋼噴丸珠，鐵或鋁合金粉末等的生產上，相對溫度較低，一般在1000℃~1700℃，但陶瓷材料的熔點較高，一般達2000℃以上。傳統氣霧化噴嘴均采用金屬材料，如不銹鋼等。但明顯此種材料無法滿足2000℃以上高溫輻射。

而且傳統氣霧化噴嘴為持續生產，往往在氣霧化噴嘴上設置冷卻水裝置，從而結構相對復雜，氣霧化噴嘴維護、更換時難度較大，且成本難以降低。

實用新型內容

鑒于上述現有技術存在的缺陷，本實用新型的目的是提出一種超高溫氣霧化陶瓷材料的專用環縫噴嘴，解決環縫噴嘴應用于陶瓷材料生產的耐高溫問題。

本實用新型的上述目的，將通過以下技術方案得以實現：一種超高溫氣霧化陶瓷材料的專用環縫噴嘴，裝接于正對出料口的電阻爐爐底，其特征在于：所述電阻爐爐底集成設有水冷部，所述專用環縫噴嘴為由上蓋和下蓋組裝構成的出氣縫隙寬度可調的噴嘴，其中臨近電阻爐爐底的所述上蓋為耐熱輻射強度相對較高的環形硅件，且上蓋通過第一螺栓固定在電阻爐爐底并貼合水冷部，所述下蓋為耐熱輻射強度相對較低的不銹鋼環件，且下蓋通過第二螺栓及密封墊片固定在上蓋上并與上蓋形成環縫狀的噴嘴。

進一步，所述環形硅件為由硅的化合物一體成型的環件，所述硅的化合物至少為SiC或Si₃N₄。

進一步，其特征在于：所述專用環縫噴嘴的上蓋與電阻爐爐底間設有密封圈。

進一步，所述密封墊片具有通過第二螺栓的旋緊程度調節出氣縫隙寬度的可調厚度。

應用本實用新型該專用環縫噴嘴，較之于傳統氣霧化噴嘴具有顯著的優點：采用不同耐高溫程度的材質設計并制造分體式的噴嘴，使噴嘴能適應2000℃以上的高溫熱輻射，同時將水冷部移至爐底，使噴嘴結構更簡化、降低重量、易于裝卸；采用耐高溫的密封墊片，提高了環縫寬度、出氣量的調整自如性。

附圖說明

圖1是本實用新型專用環縫噴嘴的剖視結構示意圖。

具體實施方式

以下便結合實施例附圖，對本實用新型的具體實施方式作進一步的詳述，以使本實用新型技術方案更易于理解、掌握。

本實用新型突破傳統技術的局限，創新提出了一種超高溫氣霧化陶瓷材料的專用環縫噴嘴，解決環縫噴嘴應用于陶瓷材料生產的耐高溫問題。

本實用新型專用環縫噴嘴一較佳實施例如圖1所示，該專用環縫噴嘴3裝接于正對出料口的電阻爐爐底1。細化特征結構來看，該電阻爐爐底1集成設有水冷部2；而將水冷卻部分設計在該電阻爐底部，旨在簡化噴嘴結構，減輕噴嘴重量，易于單獨更換噴嘴構件。

如圖所示，該專用環縫噴嘴3為由上蓋31和下蓋32組裝構成的出氣縫隙33寬度可調的噴嘴，其中臨近電阻爐爐底的所述上蓋31為耐熱輻射強度相對較高的環形硅件，主要是由硅的化合物一體成型的環件，而硅的化合物可以是SiC，也可以是Si₃N₄。上蓋31通過第一螺栓42固定在電阻爐爐底1并貼合水冷部2，該上蓋離電阻爐較近，故所受熱輻射強度較大，采用上述硅的化合物，具有較強的耐熱性能，且將其直接與水冷部相接處，能有效、快速冷卻。而由于下蓋32離電阻爐相對較遠，隨產品的溫度變化梯度及趨勢所受熱輻射強度顯著降低，故可以采用耐熱輻射強度相對較低的不銹鋼環件，且下蓋32通過第二螺栓41及密封墊片34固定在上蓋31上并與上蓋31形成環縫狀的噴嘴33。另外，上蓋31與下蓋32裝接形成有環狀氣室，而進氣口6便設于其中，于實際生產過程中，進氣口的高壓氣流經環狀的出氣縫隙噴出。

為進一步提高氣密性，上述專用環縫噴嘴的上蓋31與電阻爐爐底1間設有密封圈5。

作為上述方案的優化，上述密封墊片34具有通過第二螺栓的旋緊程度調節出氣縫隙寬度的可調厚度，有效提升了該專用環縫噴嘴的普遍適用性。

綜上可見，應用本實用新型該專用環縫噴嘴，采用不同耐高溫程度的材質設計并制造分體式的噴嘴，使噴嘴能適應2000℃以上的高溫熱輻射，同時將水冷部移至爐底，使噴嘴結構更簡化、降低重量、易于裝卸；采用耐高溫的密封墊片，提高了環縫寬度、出氣量的調整自如性。

除上述實施例外，本實用新型還可以有其它實施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術方案，均落在本實用新型所要求保護的范圍之內。