[實用新型]一種GaAs復(fù)合PHEMT-PIN的外延材料結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201520055078.3 | 申請日： | 2015-01-27 |
| 公開（公告）號： | CN204375756U | 公開（公告）日： | 2015-06-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳新宇;蔣東銘;楊磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京國博電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/868;H01L29/06;H01L29/205;H01L21/335;H01L21/329 |
| 代理公司： | 江蘇永衡昭輝律師事務(wù)所 32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 211111 江蘇省南*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 gaas 復(fù)合 phemt pin 外延 材料 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種GaAs復(fù)合PHEMT-PIN的外延材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，從下至上依次包括：
GaAs襯底（1）、GaAs緩沖層（2）、第一i-GaAs層（3）、第一δ_摻雜層（4）、第一spacer層（5）、i-InGaAs層（6）、第二spacer層（7）、第二δ_摻雜層（8）、i-AlGaAs層（9）、n-GaAs層（10）、第二i-GaAs層（11）、P-GaAs層(12)。
2.如權(quán)利要求1所述的GaAs復(fù)合PHEMT-PIN的外延材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述GaAs緩沖層（2）的厚度為300~1000nm，所述第一i-GaAs層（3）的厚度為20~200nm，所述第一δ_摻雜層（4）的厚度為0.1~1nm，所述第一spacer層（5）的厚度為2~4nm，所述i-InGaAs層（6）的厚度為10~14nm，所述第二spacer層（7）的厚度為2~4nm，所述第二δ_摻雜層（8）的厚度為0.1~1nm，所述i-AlGaAs層（9）的厚度為30~60nm?，n-GaAs層（10）的厚度為30~2000nm，第二i-GaAs層（11）的厚度為500~5000nm，P-GaAs層（12）的厚度為100~300nm。
3.如權(quán)利要求1或2所述的GaAs復(fù)合PHEMT-PIN的外延材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述GaAs緩沖層（2）的厚度為700nm。
4.如權(quán)利要求1或2所述的GaAs復(fù)合PHEMT-PIN的外延材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一i-GaAs層（3）為不摻雜GaAs，厚度為50nm；第二i-GaAs層（11）為不摻雜的n型GaAs，厚度為3000nm。
5.如權(quán)利要求1或2所述的GaAs復(fù)合PHEMT-PIN的外延材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一δ_摻雜層（4）和第二δ_摻雜層（8）均為摻雜硅的平面層，厚度均為0.5nm。
6.如權(quán)利要求1或2所述的GaAs復(fù)合PHEMT-PIN的外延材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一spacer層（5）、第二spacer層（7）均為不摻雜的AlGaAs，厚度均為4nm。
7.如權(quán)利要求1或2所述的GaAs復(fù)合PHEMT-PIN的外延材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述i-InGaAs層（6）為不摻雜的InGaAs，厚度為12nm。
8.如權(quán)利要求1或2所述的GaAs復(fù)合PHEMT-PIN的外延材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述i-AlGaAs層（9）為不摻雜的AlGaAs，厚度為30nm。
9.如權(quán)利要求1或2所述的GaAs復(fù)合PHEMT-PIN的外延材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述n-GaAs層（10）為高摻雜的n型GaAs，厚度為1000nm。
10.如權(quán)利要求1或2所述的GaAs復(fù)合PHEMT-PIN的外延材料結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P-GaAs層（12）為高摻雜的p型GaAs，厚度為200nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
