[實用新型]一種表面等離子體慢光波導有效
| 申請號: | 201520050227.7 | 申請日: | 2015-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN204374476U | 公開(公告)日: | 2015-06-03 |
| 發明(設計)人: | 陳輝;陳佳佳;陳明 | 申請(專利權)人: | 桂林電子科技大學 |
| 主分類號: | G02B6/122 | 分類號: | G02B6/122;G02B6/124 |
| 代理公司: | 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107 | 代理人: | 歐陽波 |
| 地址: | 541004 廣*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 表面 等離子體 波導 | ||
1.一種低損耗表面等離子體慢光波導,包括金屬基底(1)和介質光柵(2),其特征在于:
所述金屬基底(1)為上、下兩塊,介質光柵(2)的柵條上、下兩端分別經加載介質層(3)與上、下金屬基底(1)連接,介質光柵(2)的柵條以上、下金屬基底(1)之間的水平中心線上下對稱,各柵條的寬度相等,各柵條的間距相等,各柵條的厚度相等,柵條的高度由一端向另一端以相同的增幅逐漸遞增,最少為4根柵條;柵條之間為空氣(4)或者為真空。
2.根據權利要求1所述的低損耗表面等離子體慢光波導,其特征在于:
所述介質光柵(2)的柵條寬度為100~120nm。
3.根據權利要求1所述的低損耗表面等離子體慢光波導,其特征在于:
所述介質光柵(2)的柵條間距為130~250nm。
4.根據權利要求1所述的低損耗表面等離子體慢光波導,其特征在于:
所述介質光柵(2)的柵條高度為40nm≤h≤800nm,相鄰柵條的高度差為4~16nm。
5.根據權利要求1所述的低損耗表面等離子體慢光波導,其特征在于:
所述的加載介質層(3)的高度為10~20nm。
6.根據權利要求1所述的低損耗表面等離子體慢光波導,其特征在于:
所述介質光柵(2)的柵條和加載介質層(3)的厚度相等。
7.根據權利要求1所述的低損耗表面等離子體慢光波導,其特征在于:
與加載介質層(3)連接的上方的金屬基底(1)的底和下方的金屬基底(1)的頂為直線,二者以水平中心線上下對稱。
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