[實用新型]一種具有超深溝槽的瞬態電壓抑制器結構有效
| 申請號： | 201520047004.5 | 申請日： | 2015-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN204696123U | 公開（公告）日： | 2015-10-07 |
| 發明（設計）人： | 朱偉東;趙泊然 | 申請（專利權）人： | 應能微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234 | 代理人： | 劉述生 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 深溝 瞬態 電壓 抑制器 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有超深溝槽的瞬態電壓抑制器結構，其特征在于，包括：一具有第一導電類型P型或N型的重摻雜硅襯底；所述重摻雜硅襯底頂面設置一具有第一導電類型P型或N型的摻雜外延層；所述摻雜外延層上設置有一系列密排的溝槽。
2.如權利要求1所述的具有超深溝槽的瞬態電壓抑制器結構，其特征在于，所述溝槽的間距為1到5微米。
3.如權利要求1所述的具有超深溝槽的瞬態電壓抑制器結構，其特征在于，所述摻雜外延層的厚度為20-60微米。
4.權利要求1至5任一權利要求所述的具有超深溝槽的瞬態電壓抑制器結構，其特征在于，所述溝槽的高寬比為10:1到60:1
5.如權利要求6所述的具有超深溝槽的瞬態電壓抑制器結構，其特征在于，所述溝槽的開口為1到5微米、深度為10微米到60微米。
6.如權利要求5所述的具有超深溝槽的瞬態電壓抑制器結構，其特征在于，所述溝槽中填充有第二導電類型N型或P型的自摻雜多晶硅。
7.如權利要求6所述的具有超深溝槽的瞬態電壓抑制器結構，其特征在于，所述自摻雜多晶硅的電阻率為0.002-0.020?Ohm.cm。
8.如權利要求7所述的具有超深溝槽的瞬態電壓抑制器結構，其特征在于，所述溝槽上側依次設置有圖案化的介質層、金屬層以及鈍化層。
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