[實(shí)用新型]具有雙頻率的單、多陣元IVUS換能器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520042847.6
• 申請(qǐng)日: 2015-01-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204468134U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬曉雯;江小寧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海愛(ài)聲生物醫(yī)療科技有限公司
• 主分類號(hào): A61B8/12
• 分類號(hào): A61B8/12
• 代理公司: 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種具有雙頻率的單陣元IVUS換能器，包括低頻壓電結(jié)構(gòu)、背襯結(jié)構(gòu)、柔性電路板、填縫結(jié)構(gòu)和兩個(gè)子陣元，所述低頻壓電結(jié)構(gòu)和背襯結(jié)構(gòu)依次層疊于所述柔性電路板的一側(cè)表面，所述子陣元和填縫結(jié)構(gòu)設(shè)于所述柔性電路板的另一側(cè)表面，且所述填縫結(jié)構(gòu)間隔于兩個(gè)所述子陣元之間，每個(gè)所述子陣元均包括層疊于所述柔性電路板另一側(cè)表面的高頻壓電結(jié)構(gòu)和匹配層。

2.如權(quán)利要求1所述的具有雙頻率的單陣元IVUS換能器，其特征在于：所述低頻壓電結(jié)構(gòu)的材料為壓電陶瓷、壓電單晶或復(fù)合材料。

3.如權(quán)利要求1所述的具有雙頻率的單陣元IVUS換能器，其特征在于：所述高頻壓電結(jié)構(gòu)的材料為壓電陶瓷、壓電單晶或復(fù)合材料。

4.如權(quán)利要求1所述的具有雙頻率的單陣元IVUS換能器，其特征在于：還包括設(shè)于所述柔性電路板上的電纜線，所述電纜線連通至所述高頻壓電結(jié)構(gòu)和低頻壓電結(jié)構(gòu)。

5.一種具有雙頻率的多陣元IVUS換能器，包括環(huán)形的柔性電路板環(huán)繞所述柔性電路板軸心布置的若干陣元，每個(gè)所述陣元均包括低頻壓電結(jié)構(gòu)、背襯結(jié)構(gòu)、電路板、填縫結(jié)構(gòu)和兩個(gè)子陣元，所述低頻壓電結(jié)構(gòu)和背襯結(jié)構(gòu)依次層疊于所述柔性電路板的內(nèi)側(cè)表面，所述子陣元和填縫結(jié)構(gòu)設(shè)于所述柔性電路板的另一側(cè)表面，且所述填縫結(jié)構(gòu)間隔于兩個(gè)所述子陣元之間，每個(gè)所述子陣元均包括層疊于所述柔性電路板外側(cè)表面的高頻壓電結(jié)構(gòu)和匹配層。

6.如權(quán)利要求5所述的具有雙頻率的多陣元IVUS換能器，其特征在于：所述低頻壓電結(jié)構(gòu)的材料為壓電陶瓷、壓電單晶或復(fù)合材料。

7.如權(quán)利要求5所述的具有雙頻率的多陣元IVUS換能器，其特征在于：所述高頻壓電結(jié)構(gòu)的材料為壓電陶瓷、壓電單晶或復(fù)合材料。

8.如權(quán)利要求5所述的具有雙頻率的多陣元IVUS換能器，其特征在于：還包括設(shè)于所述柔性電路板上的電纜線，所述電纜線連通至所述高頻壓電結(jié)構(gòu)和低頻壓電結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求5所述的具有雙頻率的多陣元IVUS換能器，其特征在于：所述柔性電路板內(nèi)側(cè)空間灌注有背襯材料。