[實用新型]雙層硅納米線太陽能電池有效
| 申請號: | 201520041667.6 | 申請日: | 2015-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN204315580U | 公開(公告)日: | 2015-05-06 |
| 發明(設計)人: | 倪玉鳳;郭輝;黃海栗;苗東銘;胡彥飛;張玉明 | 申請(專利權)人: | 中電投西安太陽能電力有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216 |
| 代理公司: | 陜西電子工業專利中心 61205 | 代理人: | 王品華 |
| 地址: | 710100 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙層 納米 太陽能電池 | ||
1.一種雙層硅納米線太陽能電池,自上而下依次為窗口層(2)、吸收層(3)、背電極(5)和鋼化玻璃襯底層(6),其特征在于:
窗口層(2)上增設有第一納米線層(1);
吸收層(3)與背電極(5)之間增設有第二納米線層(4)。
2.根據權利要求1所述的雙層硅納米線太陽能電池,其特征在于:所述第一納米線層(1)和第二納米線層(4)均由相互交叉堆疊的硅納米線構成,該相互交叉堆疊的硅納米線層通過酒精溶液轉移形成。
3.根據權利要求1所述的雙層硅納米線太陽能電池,其特征在于:第一納米線層(1)和第二納米線層(4)中每根硅納米線的直徑為40-80nm,長度為20-40μm。
4.根據權利要求1中所述的雙層硅納米線太陽能電池,其特征在于,其窗口層(2)由ITO氧化銦錫透明導電薄膜構成。
5.根據權利要求1中所述的雙層硅納米線太陽能電池,其特征在于,吸收層(3)由厚度為10-15nm的P型非晶硅層、厚度為20-30nm的本征非晶硅層和厚度為10-15nm的N型非晶硅層由上至下依次層疊構成。
6.根據權利要求1中所述的雙層硅納米線太陽能電池,其特征在于,背電極(5)由厚度為20nm/20nm/200nm的鈦-鎳-金多層金屬構成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





