[實(shí)用新型]一種帶有增頻缺孔和第二矩形缺孔的單極性振子

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520040503.1
• 申請(qǐng)日: 2015-01-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204333229U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳漢榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 吳漢榮
• 主分類號(hào): H01Q1/36
• 分類號(hào): H01Q1/36;H01Q1/52
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• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種帶有增頻缺孔和第二矩形缺孔的單極性振子。

背景技術(shù)

天線是一種把高頻電流轉(zhuǎn)化成無(wú)線電波發(fā)射到空間，同時(shí)可以收集空間無(wú)線電波并產(chǎn)生高頻電流的裝置。天線可看作由電容和電感組成的調(diào)諧電路；該調(diào)諧電路在某些頻率點(diǎn)，其容性和感性將相互抵消，電路表現(xiàn)出純阻性，該現(xiàn)象稱之為諧振，而諧振現(xiàn)象對(duì)應(yīng)的工作頻點(diǎn)即為諧振頻率點(diǎn)，處于天線諧振頻率點(diǎn)的能量，其輻射特性最強(qiáng)。并將具有諧振特性的天線結(jié)構(gòu)稱作天線振子，并將高頻電流直接激勵(lì)的天線結(jié)構(gòu)稱作有源振子，反之稱作無(wú)源振子；現(xiàn)有振子中，在根據(jù)實(shí)際使用的需要對(duì)天線進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，為了使得天線的諧振頻率點(diǎn)滿足設(shè)定要求，需要對(duì)天線的輸入阻抗進(jìn)行調(diào)整，通過(guò)調(diào)整后的振子以及普通振子依然不能滿足目前通信標(biāo)準(zhǔn)的要求，目前通信標(biāo)準(zhǔn)越來(lái)越高，對(duì)振子的要求也越來(lái)越高，目前的振子的增益、方向性、前后比均需要獲得突破。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于克服以上所述的缺點(diǎn)，提供一種高增益、方向性好的帶有增頻缺孔和第二矩形缺孔的單極性振子。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的具體方案如下：一種帶有增頻缺孔和第二矩形缺孔的單極性振子，包括有通過(guò)饋電線連接的上下對(duì)稱的兩個(gè)輻射單元；所述每個(gè)輻射單元包括有左右對(duì)稱設(shè)置的兩個(gè)振子片，所述每個(gè)振子片包括有第一側(cè)壁、從第一側(cè)壁的頂端向另一振子片方向斜向下延伸出的第一斜臂、從第一側(cè)壁的底端向另一振子片方向斜向下延伸出的第二斜臂，還包括有與第二斜壁的自由端連接并與第一側(cè)壁平行設(shè)置的第二側(cè)壁；所述第二側(cè)壁的頂端向第一側(cè)壁方向斜向上延伸有第三斜壁，所述兩個(gè)振子片的第二側(cè)壁之間連接有耦合橋；所述兩個(gè)輻射單元之間連接有饋電臂。

優(yōu)選的，所述第一側(cè)壁與第一斜壁連接處的外側(cè)為一圓角，所述圓角的半徑為0.5mm-1mm。

優(yōu)選的，所述圓角的半徑為1mm。

優(yōu)選的，所述第一斜壁設(shè)有一三角形缺口，所述缺口的角度為60°-80°。

優(yōu)選的，所述缺口的角度為70°。

優(yōu)選的，所述第一側(cè)壁的寬度為1.5cm-2cm。

優(yōu)選的，所述第一斜壁的自由端設(shè)有第一隔離部。

優(yōu)選的，所述第三斜壁的自由端設(shè)有第三隔離部。

優(yōu)選的，所述第一隔離部為二氧化硅半導(dǎo)體。

優(yōu)選的，所述第三隔離部為二氧化硅半導(dǎo)體。

優(yōu)選的，所述第二側(cè)壁靠近另一振子片的一側(cè)并列設(shè)有至少一個(gè)的半圓形的增頻缺孔。

優(yōu)選的，所述增頻缺孔數(shù)量為5-8個(gè)。

優(yōu)選的，所述增頻缺孔的直徑為0.5mm-1mm。

優(yōu)選的，所述第二斜壁的底部設(shè)有第二隔離部。

優(yōu)選的，所述第二隔離部為二氧化硅半導(dǎo)體。

優(yōu)選的，所述第二側(cè)壁遠(yuǎn)離另一振子片的一側(cè)并列延伸出至少一個(gè)隔離桿。

優(yōu)選的，所述隔離桿數(shù)量為三根，所述三根隔離桿的長(zhǎng)度從下往上依次遞減。

優(yōu)選的，所述最長(zhǎng)的隔離桿長(zhǎng)度為10mm。

優(yōu)選的，所述第一側(cè)壁設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)第一矩形過(guò)孔，所述兩個(gè)并排的第一矩形過(guò)孔為一組；

優(yōu)選的，每組并列排列；所述每組第一矩形過(guò)孔之間設(shè)有第二矩形過(guò)孔，所述第二矩形過(guò)孔內(nèi)填充有二氧化硅半導(dǎo)體。

優(yōu)選的，所述第二矩形過(guò)孔的長(zhǎng)度為2mm-5mm。

本實(shí)用新型的有益效果為：通過(guò)優(yōu)良的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，通過(guò)不斷試驗(yàn)和參數(shù)調(diào)整下，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的前后比特性，單個(gè)輻射單元最低頻點(diǎn)前后比大于30dB,頻帶內(nèi)前后比平均大于32dB；并且具有較高的單元增益，依測(cè)得數(shù)據(jù)，從方向圖中可以看出，其最低頻點(diǎn)增益大于9.37dBi,頻帶內(nèi)平均增益大于9.8dBi。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的正視圖；

圖2是圖1的局部放大圖；

圖3是在頻率為820MHZ時(shí)前后比的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖；

圖4是在頻率為850MHZ時(shí)前后比的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖；

圖5是在頻率為960MHZ時(shí)前后比的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)圖；

圖6是在頻率為820MHZ時(shí)表示增益的方向圖；

圖7是在頻率為850MHZ時(shí)表示增益的方向圖；

圖8是在頻率為960MHZ時(shí)表示增益的方向圖；

圖1至圖8中的附圖標(biāo)記說(shuō)明：

1-第一側(cè)壁；11-第一矩形過(guò)孔；12-第二矩形過(guò)孔；

2-第一斜臂；21-第一隔離部；

3-第二斜臂；31-第二隔離部；

4-第二側(cè)壁；41-隔離桿；42-增頻缺孔；