[實用新型]設(shè)有隔離桿的單極性振子

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201520039193.1
• 申請日: 2015-01-21
• 公開（公告）號: CN204391248U
• 公開（公告）日: 2015-06-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 勵春亞
• 申請（專利權(quán)）人: 象山星旗電器科技有限公司
• 主分類號: H01Q1/36
• 分類號: H01Q1/36;H01Q1/52
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種設(shè)有隔離桿的單極性振子。

背景技術(shù)

天線是一種把高頻電流轉(zhuǎn)化成無線電波發(fā)射到空間，同時可以收集空間無線電波并產(chǎn)生高頻電流的裝置。天線可看作由電容和電感組成的調(diào)諧電路；該調(diào)諧電路在某些頻率點，其容性和感性將相互抵消，電路表現(xiàn)出純阻性，該現(xiàn)象稱之為諧振，而諧振現(xiàn)象對應(yīng)的工作頻點即為諧振頻率點，處于天線諧振頻率點的能量，其輻射特性最強(qiáng)。并將具有諧振特性的天線結(jié)構(gòu)稱作天線振子，并將高頻電流直接激勵的天線結(jié)構(gòu)稱作有源振子，反之稱作無源振子；現(xiàn)有振子中，在根據(jù)實際使用的需要對天線進(jìn)行設(shè)計時，為了使得天線的諧振頻率點滿足設(shè)定要求，需要對天線的輸入阻抗進(jìn)行調(diào)整，通過調(diào)整后的振子以及普通振子依然不能滿足目前通信標(biāo)準(zhǔn)的要求，目前通信標(biāo)準(zhǔn)越來越高，對振子的要求也越來越高，目前的振子的增益、方向性、前后比均需要獲得突破。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型的目的在于克服以上所述的缺點，提供一種高增益、方向性好的設(shè)有隔離桿的單極性振子。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型的具體方案如下：一種設(shè)有隔離桿的單極性振子，包括有通過饋電線連接的上下對稱的兩個輻射單元；所述每個輻射單元包括有左右對稱設(shè)置的兩個振子片，所述每個振子片包括有第一側(cè)壁、從第一側(cè)壁的頂端向另一振子片方向斜向下延伸出的第一斜臂、從第一側(cè)壁的底端向另一振子片方向斜向下延伸出的第二斜臂，還包括有與第二斜壁的自由端連接并與第一側(cè)壁平行設(shè)置的第二側(cè)壁；所述第二側(cè)壁的頂端向第一側(cè)壁方向斜向上延伸有第三斜壁，所述兩個振子片的第二側(cè)壁之間連接有耦合橋；所述兩個輻射單元之間連接有饋電臂。

優(yōu)選的，所述第一側(cè)壁與第一斜壁連接處的外側(cè)為一圓角，所述圓角的半徑為0.5mm-1mm。

優(yōu)選的，所述圓角的半徑為1mm。

優(yōu)選的，所述第一斜壁設(shè)有一三角形缺口，所述缺口的角度為60°-80°。

優(yōu)選的，所述缺口的角度為70°。

優(yōu)選的，所述第一側(cè)壁的寬度為1.5cm-2cm。

優(yōu)選的，所述第一斜壁的自由端設(shè)有第一隔離部。

優(yōu)選的，所述第三斜壁的自由端設(shè)有第三隔離部。

優(yōu)選的，所述第一隔離部為二氧化硅半導(dǎo)體。

優(yōu)選的，所述第三隔離部為二氧化硅半導(dǎo)體。

優(yōu)選的，所述第二側(cè)壁靠近另一振子片的一側(cè)并列設(shè)有至少一個的半圓形的增頻缺孔。

優(yōu)選的，所述增頻缺孔數(shù)量為5-8個。

優(yōu)選的，所述增頻缺孔的直徑為0.5mm-1mm。

優(yōu)選的，所述第二斜壁的底部設(shè)有第二隔離部。

優(yōu)選的，所述第二隔離部為二氧化硅半導(dǎo)體。

優(yōu)選的，所述第二側(cè)壁遠(yuǎn)離另一振子片的一側(cè)并列延伸出至少一個隔離桿。

優(yōu)選的，所述隔離桿數(shù)量為三根，所述三根隔離桿的長度從下往上依次遞減。

優(yōu)選的，所述最長的隔離桿長度為10mm。

優(yōu)選的，所述第一側(cè)壁設(shè)有復(fù)數(shù)個第一矩形過孔，所述兩個并排的第一矩形過孔為一組；

優(yōu)選的，每組并列排列；所述每組第一矩形過孔之間設(shè)有第二矩形過孔，所述第二矩形過孔內(nèi)填充有二氧化硅半導(dǎo)體。

優(yōu)選的，所述第二矩形過孔的長度為2mm-5mm。

本實用新型的有益效果為：通過優(yōu)良的結(jié)構(gòu)設(shè)計，通過不斷試驗和參數(shù)調(diào)整下，實現(xiàn)了優(yōu)良的前后比特性，單個輻射單元最低頻點前后比大于30dB,頻帶內(nèi)前后比平均大于32dB；并且具有較高的單元增益，依測得數(shù)據(jù)，從方向圖中可以看出，其最低頻點增益大于9.37dBi,頻帶內(nèi)平均增益大于9.8dBi。

附圖說明

圖1是本實用新型的正視圖；

圖2是圖1的局部放大圖；

圖3是在頻率為820MHZ時前后比的實驗數(shù)據(jù)圖；

圖4是在頻率為850MHZ時前后比的實驗數(shù)據(jù)圖；

圖5是在頻率為960MHZ時前后比的實驗數(shù)據(jù)圖；

圖6是在頻率為820MHZ時表示增益的方向圖；

圖7是在頻率為850MHZ時表示增益的方向圖；

圖8是在頻率為960MHZ時表示增益的方向圖；

圖1至圖8中的附圖標(biāo)記說明：

1-第一側(cè)壁；11-第一矩形過孔；12-第二矩形過孔；

2-第一斜臂；21-第一隔離部；

3-第二斜臂；31-第二隔離部；

4-第二側(cè)壁；41-隔離桿；42-增頻缺孔；

5-第三斜壁；51-第三隔離部；