[實用新型]嵌入式存儲芯片、嵌入式電子設備有效
| 申請號: | 201520029674.4 | 申請日: | 2015-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN204516362U | 公開(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發明(設計)人: | 李志雄;鄧恩華 | 申請(專利權)人: | 深圳市江波龍電子有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/06 | 分類號: | G11C16/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 嵌入式 存儲 芯片 電子設備 | ||
技術領域
本實用新型涉及存儲設備,特別是涉及一種嵌入式存儲芯片和嵌入式電子設備。
背景技術
現有的電子產品如智能手表、智能手環等設備,功能越來越多,但容納內部電路的空間確有限,且產品越來越朝著輕薄化,小型化的方向發展,因此對嵌入式芯片的集成度要求越來越高,而現有的嵌入式存儲芯片在使用時,都需要再另外配置一個內存芯片以存儲一些啟動代碼等程序,這樣,由于嵌入式存儲芯片以及內存芯片都需要在印刷電路板上占據一定的面積,因此對電子產品的進一步小型化造成了限制。
實用新型內容
基于此,有必要針對現有的嵌入式存儲芯片結構給嵌入式電子設備進一步小型化造成限制的問題,提供一種高度集成的嵌入式存儲芯片。
此外,還有必要提供一種集成度高的嵌入式電子設備。
一種嵌入式存儲芯片,包括本體,封裝在本體內的控制集成電路晶粒和Nand?Flash存儲集成電路晶粒,以及設置在本體上的第一接口接點,所述控制集成電路晶粒設置有第一接口,所述Nand?Flash存儲集成電路晶粒與所述控制集成電路晶粒電連接,所述第一接口接點與所述第一接口電連接,所述嵌入式存儲芯片還包括封裝在所述本體內的SPI?Nor?Flash存儲集成電路晶粒,以及與所述SPINor?Flash存儲集成電路晶粒電連接的第二接口接點,所述第二接口接點設置在所述本體上,所述第二接口接點為SPI接口接點,所述第二接口接點至少包括電源線、地線、數據輸出線、數據輸入線、片選線、時鐘線6個接點。
在其中一個實施例中,所述第二接口接點還包括狀態保持線接點和寫保護線接點。
在其中一個實施例中,所述第一接口為SD接口,所述第一接口接點為SD接口接點,所述第一接口接點至少包括電源線、地線、數據線0、數據線1、數據線2、數據線3、時鐘線、命令線八個接點。
在其中一個實施例中,所述第一接口為USB接口,所述第一接口接點為USB接口接點,所述第一接口接點至少包括電源線、地線、正數據線、負數據線四個接點。
在其中一個實施例中,所述第一接口為eMMC接口,所述第一接口接點為eMMC接口接點,所述第一接口接點至少包括電源線1、電源線2、地線、時鐘線、命令線、復位線、8個數據線14個接點。
在其中一個實施例中,所述嵌入式存儲芯片的本體上設置有30個接點,除第一接口接點和第二接口接點外,還包括內核電源線接點以及保留的電源線接點,其余接點為暫時不使用的保留接點。
在其中一個實施例中,所述嵌入式存儲芯片長、寬、高的尺寸為8mm*8mm*0.8mm,其中長、寬的公差尺寸為正負0.1mm,高的公差尺寸為正負0.01mm。
在其中一個實施例中,所述30個接點按5行6列的方式在所述本體表面居中均勻分布,所述接點為圓形焊盤接點,半徑為0.6mm,其中第1列接點到第6列接點的距離為6mm,第1行接點到第5行接點的距離為4.8mm,相鄰兩個接點的距離為1.2mm。
一種嵌入式電子設備,包括如上述的嵌入式存儲芯片。
上述嵌入式存儲芯片和嵌入式電子設備,將Nand?Flash存儲集成電路晶粒和SPI?Nor?Flash存儲集成電路晶粒封裝在一個芯片內,并在芯片本體上設置SPINor?Flash存儲集成電路晶粒的接口接點,使一個芯片具備多種存儲功能,便于嵌入式電子設備印刷電路板的設計,且能夠有效減少芯片占用印刷電路板的面積,從而節約印刷電路板的空間,便于產品的小型化設計。
附圖說明
圖1為一個實施例中嵌入式存儲芯片的電路結構示意圖;
圖2為一個實施例中嵌入式存儲芯片的焊盤分布示意圖;
圖3為一個實施例中嵌入式存儲芯片的結構尺寸示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型,并不用于限定本實用新型。
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