[實(shí)用新型]碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201520024695.7
• 申請(qǐng)日: 2015-01-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN204550791U
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢(qián)衛(wèi)寧;馮淦;趙建輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瀚天天成電子科技（廈門(mén)）有限公司
• 主分類號(hào): C30B25/14
• 分類號(hào): C30B25/14;C30B29/36
• 代理公司: 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11411
• 代理人: 曾少麗

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及本實(shí)用新型涉及外延生長(zhǎng)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置。

背景技術(shù)

碳化硅半導(dǎo)體具有大禁帶寬度、優(yōu)良的穩(wěn)定性、高熱導(dǎo)率、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速度等優(yōu)良特性，是制作高溫、高頻、大功率和強(qiáng)輻射電力電子器件的理想半導(dǎo)體材料。與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅器件能夠在10倍于硅器件的電場(chǎng)強(qiáng)度下正常工作。用于制作碳化硅器件的碳化硅材料通常是生長(zhǎng)在碳化硅襯底上的碳化硅外延晶片。

碳化硅外延爐是用來(lái)生長(zhǎng)碳化硅外延晶片的反應(yīng)室，通常采用CVD（化學(xué)氣相沉積）的方法來(lái)生長(zhǎng)碳化硅外延晶片。在水平行星式反應(yīng)室內(nèi)，反應(yīng)氣體是通過(guò)一個(gè)名為“injector”的進(jìn)氣裝置進(jìn)入反應(yīng)室進(jìn)行物理化學(xué)反應(yīng)的。當(dāng)前碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置如圖1所示，該結(jié)構(gòu)的出氣孔采用的是菱形出氣孔5，菱形出氣孔5的長(zhǎng)度雖然較長(zhǎng)，但寬度較窄，容易堵塞，此外，由于該裝置沒(méi)有氣體預(yù)加熱功能，出氣孔附近的溫度較低，容易產(chǎn)生一些反應(yīng)異物，導(dǎo)致出氣孔易被堵塞。

因此本發(fā)明人對(duì)上述碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置進(jìn)行改進(jìn)，特別研制出一種能夠防止堵塞的碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置，本案由此產(chǎn)生。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置，有效防止出氣孔堵塞，提高碳化硅外延生長(zhǎng)反應(yīng)的穩(wěn)定性。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：

碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置，包括進(jìn)氣管和主腔體；主腔體呈圓柱形，主腔體側(cè)邊開(kāi)設(shè)多個(gè)圓形出氣孔，進(jìn)氣管上開(kāi)設(shè)進(jìn)氣口，進(jìn)氣管插置在主腔體上。

所述圓形出氣孔直徑大小為1-2.5cm。

采用上述方案后，本實(shí)用新型通過(guò)將主腔體出氣孔設(shè)置為圓形，增加了出氣孔的寬度，同時(shí)圓形出氣孔的邊界光滑沒(méi)有死角，從而降低了出氣孔邊界對(duì)氣體的阻擋作用和異物殘留的概率，有效的解決了出氣孔被異物堵塞的問(wèn)題，使反應(yīng)氣體經(jīng)進(jìn)氣口進(jìn)入主腔體后，通過(guò)主腔體內(nèi)的出氣孔能夠暢通地進(jìn)入碳化硅外延生長(zhǎng)反應(yīng)室，本實(shí)用新型減少設(shè)備損耗和圍護(hù)時(shí)間，有效提高碳化硅外延爐的產(chǎn)率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是現(xiàn)有碳化硅外延爐進(jìn)氣裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明。

主腔體1，圓形出氣孔2，進(jìn)氣管3，進(jìn)氣孔4，菱形出氣孔5。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

如圖2所示，本實(shí)用新型揭示的碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置，包括進(jìn)氣管3和主腔體1；主腔體1呈圓柱形，主腔體1側(cè)邊開(kāi)設(shè)多個(gè)圓形出氣孔2，進(jìn)氣管3上開(kāi)設(shè)進(jìn)氣口4，進(jìn)氣管2插置在主腔體1上，大體上均位于主腔體1的上方。

圓形出氣孔直徑大小為1-2.5cm，采用此直徑大小的圓形出氣孔4能夠使氣體流量和流速大小達(dá)到最佳狀態(tài)。

本實(shí)用新型對(duì)現(xiàn)有碳化硅外延爐的進(jìn)氣裝置進(jìn)行改進(jìn)，將主腔體1上的出氣孔設(shè)置為更利于氣體通過(guò)的圓形出氣孔2，同時(shí)保持原來(lái)氣體流量和流速，圓形出氣孔2相比如圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的原來(lái)的菱形出氣孔5，其對(duì)氣體的阻力大幅降低，從而異物、雜質(zhì)等在出氣孔上的殘留減少，出氣孔不易被堵塞，避免了主腔體氣流混亂，提高外延爐內(nèi)反應(yīng)的穩(wěn)定性。

上述實(shí)施例和圖式并非限定本實(shí)用新型的產(chǎn)品形態(tài)和式樣，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員對(duì)其所做的適當(dāng)變化或修飾，皆應(yīng)視為不脫離本實(shí)用新型的專利范疇。