[實用新型]外部SRAM動態監測器

有效

• 申請號: 201520020204.1
• 申請日: 2015-01-13
• 公開（公告）號: CN204480673U
• 公開（公告）日: 2015-07-15
• 發明（設計）人: 周崢;鄭政
• 申請（專利權）人: 上海理工大學;上海瑞影醫療科技有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56;G06F13/16
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司 31204
• 代理人: 郁旦蓉

技術領域

本實用新型屬于數據監測領域，具體涉及一種利用低資源消耗對至少一個外部SRAM進行監測的外部SRAM動態監測器。

背景技術

SRAM是靜態隨機存儲器，由于SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據，因此SRAM具有較高的性能。現有技術中，需要將SRAM中的數據讀出然后寫入到片內RAM中，一般通過JTAG將數據導出，但是一次只能觀測一個SRAM的某一個特定區域的數據，這樣非常不方便，而且如果要檢測所有的SRAM的數據內容，則需要耗費大量的資源，這樣對算法的研究，尤其是圖像處理算法的研究非常不方便。

實用新型內容

本實用新型是為了解決上述課題而進行的，目的在于提供能夠利用盡量少的資源實現對至少一個外部SRAM靈活方便地進行監測的外部SRAM動態監測器。

本實用新型提供了一種外部SRAM動態監測器，用于對至少一個外部SRAM進行監測，其特征在于，包括：分區部，將每個外部SRAM分為具有相應地址的至少兩個SRAM子單元；設定輸出部，被用于選?擇SRAM子單元并輸出與該SRAM子單元的地址相對應的地址信號；控制部，包含：用于讀取每個SRAM子單元中的數據信號的讀取單元、選擇地址信號相對應的數據信號的獲取單元、用于緩存數據信號的RAM；以及處理部，用于對被RAM緩存的數據信號進行處理得到數據內容。

在本實用新型提供的外部SRAM動態監測器中，還可以具有這樣的特征：其中，控制部還包含：與設定輸出部相連接用于根據地址信號發出寫信號的發生單元、根據寫信號控制RAM對數據信號進行存取的控制單元以及發出觸發信號的信號發出單元，控制單元控制信號發出單元發出觸發信號，控制單元根據觸發信號控制發生單元發出寫信號。

在本實用新型提供的外部SRAM動態監測器中，還可以具有這樣的特征：其中，控制部還包含用于檢測判斷外部SRAM是否為空閑狀態的檢測判斷單元，當檢測判斷單元判斷外部SRAM為空閑時，控制單元控制信號發出單元發出觸發信號。

在本實用新型提供的外部SRAM動態監測器中，還可以具有這樣的特征，還包括：啟動部，用于啟動檢測判斷單元進行檢測。

在本實用新型提供的外部SRAM動態監測器中，還可以具有這樣的特征：其中，處理部具有JTAG接口的數據線。

實用新型的作用與效果

根據本實用新型所涉及的外部SRAM動態監測器，因為分區部將?外部SRAM分為至少兩個SRAM子單元進行監測，利用片內開辟出的較少的緩存空間對多個SRAM的任何區域數據內容進行檢測，從而實現利用更少的資源對外部SRAM進行監測，通過設定輸出部能夠選擇一個SRAM子單元進行監測并且輸出相對應的地址信號，通過控制部的讀取單元讀取SRAM子單元中的數據信號，另外，獲取單元選擇獲取與對應SRAM的地址信號相對應的數據信號，并通過RAM將該部分數據信號進行存取，最后，通過處理部將該數據信號進行處理得到數據內容，使得獲取到的SRAM子單元中的數據信號被監測出，所以，本實用新型的外部SRAM動態監測器實現了靈活方便地對至少一個外部SRAM進行監測。

附圖說明

圖1是本實用新型的實施例中外部SRAM動態監測器的結構框圖；

圖2是本實用新型的實施例中外部SRAM動態監測器的電路圖；以及

圖3是本實用新型的實施例中控制部的結構框圖；

圖4是本實用新型的實施例中外部SRAM動態監測器的流程圖。

具體實施方式

為了使本實用新型實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，以下實施例結合附圖對本實用新型的外部SRAM動態監測器作具體闡述。

圖1是本實用新型的實施例中外部SRAM動態監測器的結構框圖。

如圖1所示，在本實施例中，外部SRAM動態監測器100的實現基于FPGA，根據需要通過可編輯的連接把FPGA內部的邏輯塊連接起來，從而實現本實施例的監測電路。在本實施例中對兩塊外部SRAM規格都為16bit，2M的外部SRAM進行監測。外部SRAM動態監測器100用于實現對兩塊外部SRAM中的數據靈活方便地進行監測。

外部SRAM動態監測器100包含：分區部10、啟動部20、設定輸出部30、控制部40和處理部50。

根據需要通過分區部10將兩個外部SRAM分為標識為SRAMⅠ和SRAMⅡ，并且將SRAMⅠ分為具有相應地址的兩個SRAM子單元并分別標識為bank0和bank1，將SRAMⅡ也分為具有相應地址的兩個SRAM子單元并分別標識為bank2和bank3。