[發(fā)明專利]具有內(nèi)嵌式電極結(jié)構(gòu)的高功率LED結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201511034961.5
• 申請日: 2015-12-31
• 公開（公告）號: CN105470359A
• 公開（公告）日: 2016-04-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊恕帆;吳俊毅;吳超瑜;王篤祥
• 申請（專利權(quán)）人: 天津三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/38;H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00
• 代理公司: 天津?yàn)I海科緯知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 12211
• 代理人: 劉瑩

1.一種具有內(nèi)嵌式電極結(jié)構(gòu)的高功率LED結(jié)構(gòu)，其特征在于：金屬內(nèi)嵌至結(jié)構(gòu)內(nèi)部，且有源層具有傾斜凹洞，且用絕緣層充填有源層間距；傾斜角度為45～90°；所述傾斜凹洞從接觸層至GaP外延層，且所述金屬蒸鍍在于GaP外延層上；在傾斜凹洞內(nèi)用絕緣層充填，在接觸層表面沉積有絕緣層，且絕緣層完整包覆有源層，在接觸層上也蒸鍍有金屬，且金屬與接觸層面積相等，其余部分包覆有絕緣層。

2.如權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)嵌式電極結(jié)構(gòu)的高功率LED結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述絕緣層為SiO2、SiNx或TiO2；所述接觸層為GaAs。

3.一種制備如權(quán)利要求1所述的具有內(nèi)嵌式電極結(jié)構(gòu)的高功率LED結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于：包括如下步驟，

1)LED外延芯片將襯底轉(zhuǎn)移至?xí)簳r(shí)基板上并去除襯底，使P-N結(jié)構(gòu)倒轉(zhuǎn)；

2)以曝光顯影定義圖形，ICP干蝕刻至GaP外延層的深度，并且蒸鍍與GaP外延層歐姆接觸的金屬作為第一電連接層；ICP干蝕刻可調(diào)整制程氣體通氣比例與時(shí)間，使作業(yè)干蝕刻的側(cè)壁呈現(xiàn)傾斜角度；

3)接著在有源層的表面進(jìn)行絕緣層薄膜沉積，使其能厚度完整包覆有源層的側(cè)壁，并在表面以曝光顯影蝕刻定義圖形，蝕刻絕緣層并留下和金屬歐姆接觸面積的接觸層；

4)蒸鍍上第二電連接層；

5)蒸鍍上鍵合厚金，并以高溫高壓鍵合，完成后去除暫時(shí)基板完成襯底轉(zhuǎn)移；

6)襯底轉(zhuǎn)移后表面進(jìn)行粗化和電極蒸鍍，即得到LED。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有內(nèi)嵌式電極結(jié)構(gòu)的高功率LED結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于：所述步驟1)中，四元LED外延芯片以黏膠鍵合方式(Glue-bonding)將襯底轉(zhuǎn)移至?xí)簳r(shí)基板上并去除襯底，使P-N結(jié)構(gòu)倒轉(zhuǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有內(nèi)嵌式電極結(jié)構(gòu)的高功率LED結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于：所述步驟2)中，歐姆接觸的金屬為金鈹或金鋅。