[發(fā)明專利]低功耗寬電壓的晶振電路

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201511029368.1
• 申請日: 2015-12-31
• 公開（公告）號: CN106936385A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發(fā)明（設計）人: 馮海波;沈天平;羅先才
• 申請（專利權）人: 無錫華潤矽科微電子有限公司
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04;H03B5/36
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司31002
• 代理人: 王潔

1.一種低功耗寬電壓的晶振電路，其特征在于，所述的電路包括：

基準模塊，用以為振蕩模塊提供穩(wěn)定的基準電壓；

振蕩模塊，用以根據(jù)所述的基準電壓獲得寬電壓范圍的頻率信號；

整形模塊，用以對所述的寬電壓范圍的頻率信號進行整形并輸出。

2.根據(jù)權利要求1所述的低功耗寬電壓的晶振電路，其特征在于，所述的基準模塊包括：

耗盡型NMOS管(M1)，用以為微電流源單元提供基準電流；

微電流源單元，其輸出端通過旁路電容(Cp)接地，以實現(xiàn)電流電壓間的轉換。

3.根據(jù)權利要求2所述的低功耗寬電壓的晶振電路，其特征在于，所述的微電流源單元為鏡像電流源單元。

4.根據(jù)權利要求1所述的低功耗寬電壓的晶振電路，其特征在于，所述的振蕩模塊包括穩(wěn)定電源單元、CMOS電阻單元、晶振、第三電容(C3)、第四電容(C4)以及第一電阻(R1)；所述的第三電容(C3)的第一端接地，所述的第三電容(C3)的第二端、所述的晶振的第一端、所述的CMOS電阻單元的第一端、所述的穩(wěn)定電源單元的第一端相連接，所述的第四電容(C4)的第一端接地，所述的第四電容(C4)的第二端、所述的晶振的第二端、所述的CMOS電阻單元的第二端以及所述的第一電阻(R1)的第一端相連接，所述的第一電阻(R1)的第二端、所述的穩(wěn)定電源單元的第二端以及所述的振蕩模塊的輸出端相連接，所述的穩(wěn)定電源單元的第三端接地，所述的穩(wěn)定電源單元的第四端與所述的基準模塊的輸出端相連接，所述的CMOS電阻單元的第三端接地，所述的CMOS電阻單元的第四端與所述的基準模塊的輸出端相連接。

5.根據(jù)權利要求4所述的低功耗寬電壓的晶振電路，其特征在于，所述的穩(wěn)定電源單元包括第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)，所述的第四MOS管(M4)的柵極、所述的第五MOS管(M5)的柵極以及所述的第三電容(C3)的第二端相連接，所述的第四MOS管(M4)的源極與所述的基準模塊的輸出端相連接，所述的第五MOS管(M5)的源極與地相連接，所述的第四MOS管(M4)的漏極、所述的第五MOS管(M5)的漏極、所述的第一電阻(R1)的第二端及所述的振蕩模塊的輸出端相連接。

6.根據(jù)權利要求4所述的低功耗寬電壓的晶振電路，其特征在于，所述的CMOS電阻單元包括第六MOS管(M6)、第七MOS管(M7)，所述的第六MOS管(M6)的柵極接地，所述的第七MOS管(M7)的柵極與所述的基準模塊的輸出端相連接，所述的第六MOS管 (M6)的源極、所述的第七MOS管(M7)的源極與所述的第三電容(C3)的第二端相連接，所述的第七MOS管(M7)的襯底接地，所述的第六MOS管(M6)的漏極、所述的第七MOS管(M7)的漏極與所述的第一電阻(R1)的第一端相連接。

7.根據(jù)權利要求1所述的低功耗寬電壓的晶振電路，其特征在于，所述的整形模塊包括第五電容(C5)、緩沖單元(BUFF)以及施密特觸發(fā)器(SMT)，所述的第五電容(C5)的第一端接所述的振蕩模塊的輸出端，所述的第五電容(C5)的第二端接所述的緩沖單元(BUFF)的輸入端，所述的緩沖單元(BUFF)的輸出端接所述的施密特觸發(fā)器(SMT)的輸入端，所述的施密特觸發(fā)器(SMT)的輸出端為所述的晶振電路的輸出端。