[發明專利]一種碳化硅材料上制備柵介質的方法有效
| 申請號： | 201511029195.3 | 申請日： | 2015-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN105448742B | 公開（公告）日： | 2019-02-26 |
| 發明（設計）人： | 劉麗蓉 | 申請（專利權）人： | 東莞市義仁汽車租賃有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 廣東莞信律師事務所 44332 | 代理人： | 吳炳賢 |
| 地址： | 523000 廣東省東莞市東城*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 材料 制備 介質 方法 | ||
1.一種在碳化硅上制備柵介質材料的方法，所述方法如下：
(1)在碳化硅表面通過在N2O環境中退火的方式生長1-10納米厚氧化硅，預定溫度為1000-1300℃；
(2)然后采用原子層沉積的方法在步驟(1)完成的襯底上制備三氧化二鋁介質薄膜1個周期，前軀體采用三甲基鋁和水；再采用原子層沉積的方法制備三氧化二鋁介質薄膜1個周期，前軀體采用三甲基鋁和臭氧；最后采用氮氣等離子體對介質表面進行等離子吹掃；
(3)按照步驟(2)循環5-10次；
(4)最后將生長好柵介質的碳化硅片在N2O環境下退火30秒到2分鐘，預定溫度為300-900℃。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法的特征在于步驟(1)中采用在N2O環境中退火形成氧化硅材料，預定溫度至少為1200度。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法的特征在于步驟(1)中采用在N2O環境中退火形成氧化硅材料，初始氣體駐留的時間為50-60sec。
4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法的特征在于步驟(1)中采用在N2O環境中退火形成氧化硅材料，總的氣體駐留的時間為80-180sec。
5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法的特征在于步驟(2)中氧化鋁介質的生長是在步驟(1)完成后立刻轉入原子層沉積系統進行生長的，時間間隔不超過30sec，原子層沉積溫度為300度。
6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法的特征在于步驟(2)中氧化鋁介質的生長過程中氮氣等離子體的吹掃的時間為1分鐘，產生等離子體的射頻功率為10-20瓦。
7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述方法的特征在于步驟(4)中柵介質的退火時間為1分鐘，溫度為870℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
