[發明專利]一種太赫茲波段硅基片載端射天線裝置

有效

• 申請號: 201511028364.1
• 申請日: 2015-12-31
• 公開（公告）號: CN105591188B
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 鄧小東;熊永忠
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號: H01Q1/22
• 分類號: H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q19/185
• 代理公司: 成都頂峰專利事務所(普通合伙) 51224
• 代理人: 任遠高

1.一種太赫茲波段硅基片載端射天線裝置，包括襯底(1)，其特征在于：所述襯底(1)的上端面設有SiO₂層(10),所述SiO₂層(10)內設有第一金屬層(2)、金屬塊(3)、第二金屬層(4)，所述第一金屬層(2)設在所述SiO₂層(10)的內底面，所述第一金屬層(2)上設有金屬塊(3)，所述金屬塊(3)的上端面設有第二金屬層(4)，所述第一金屬層(2)與所述第二金屬層(4)平行，所述金屬塊(3)的上端面設有饋電端(5)，所述饋電端(5)連接有巴倫(6)，所述第二金屬層(4)連接有偶極子(7)，所述巴倫(6)、偶極子(7)與所述襯底(1)分別平行，且所述巴倫(6)、偶極子(7)在所述饋電端(5)的同側，所述饋電端(5)、巴倫(6)、偶極子(7)均設在SiO₂層(10)內；所述襯底(1)下端面的一端設有反射面(8)，另一端的內底面設有槽，所述槽內填充有金屬形成反射器(9)，所述反射器(9)與所述巴倫(6)在所述饋電端(5)的同側；所述襯底(1)由兩層或兩層以上的金屬層組成，最頂層金屬的厚度為2-3um，最底層金屬的厚度為0.4-0.6um，各層金屬層之間設有介質。

2.根據權利要求1所述的一種太赫茲波段硅基片載端射天線裝置，其特征在于：所述反射器(9)的長度為0.3-0.5λ，所述反射器(9)的上表面距離SiO₂層(10)的距離小于0.25λg；且所述反射面(8)為方形，其長邊、寬邊的尺寸均大于2λ，所述反射面(8)與所述偶極子(7)的距離為0.3-0.4λg。

3.根據權利要求2所述的一種太赫茲波段硅基片載端射天線裝置，其特征在于：所述饋電端(5)采用CPW形式饋電。

4.根據權利要求3所述的一種太赫茲波段硅基片載端射天線裝置，其特征在于：所述偶極子(7)的長度為0.2-0.5λ。