[發明專利]一種倒裝高壓LED芯片及其制備方法

在審

• 申請號: 201511028363.7
• 申請日: 2015-12-31
• 公開（公告）號: CN106935607A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 彭翔;趙漢民;梁伏波;金力;湯松齡
• 申請（專利權）人: 晶能光電(江西)有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/38;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種倒裝高壓LED芯片，其特征在于，

包括藍寶石襯底、形成于在所述藍寶石襯底表面的InGaAlN多層結構；形成于所述inGaAlN多層結構表面的反射層及蝕刻出的第一溝槽；

包括形成于所述反射層表面的保護金屬層及蝕刻出的第二溝槽；包括在第二溝槽內蝕刻InGaAlN多層結構及所形成的第三溝槽；包括在預設位置的第三溝槽蝕刻InGaAlN多層結構所形成的第四溝槽，蝕刻第四溝槽后形成M個芯片單元，M大于等于2；

包括形成于整個芯片表面及所述第一溝槽、第二溝槽、第三溝槽和第四溝槽側壁的第一鈍化層；

包括蝕刻保護金屬層上第一鈍化層從而沉積金屬層形成P電極，蝕刻N電極孔第一鈍化層并在N電極孔內沉積金屬并將多個N電極孔連接起來形成的N電極，把相鄰兩個單元之間的N電極和P電極連接起來，第一個單元P電極獨立，最后一個單元N電極獨立；

包括在整個芯片上再沉積形成第二鈍化層，把第一個單元P電極上第二鈍化層蝕刻一個區域出來沉積金屬層形成P焊墊，把最后一個單元N電極上的第二鈍化層蝕刻出一個區域沉積金屬層形成N焊墊。

2.根據權利要求1所述的倒裝高壓LED芯片，其特征在于，所述反射層的材料為Ag、NiAg、NIAgNi、NIAgNiAg、Al、Pt、Rh中的一種。

3.根據權利要求2所述的倒裝高壓LED芯片，其特征在于，所述反射層的材料結構為iTO/Ag或ITO/Al或ITO/Pt。

4.根據權利要求1所述的倒裝高壓LED芯片，其特征在于，所述P焊墊和N焊墊為Au電極。

5.根據權利要求1所述的倒裝高壓LED芯片，其特征在于，所述P焊墊和N焊墊為共晶金屬。

6.根據權利要求1所述的倒裝高壓LED芯片，其特征在于，所述P焊墊和N焊墊可為合金金屬。

7.根據權利要求1所述的倒裝高壓LED芯片，其特征在于，所 述第一鈍化層覆蓋芯片第三溝槽和第四溝槽及其側壁。

8.根據權利要求1所示的倒裝高壓LED芯片的制備方法，其特征在于，制作步驟如下：

步驟1、在藍寶石沉底上生長InGaAlN多層結構，生長順序為：N型GaN層、有源層和P型GaN層；

步驟2、在P型GaN層上制作反射層金屬，蝕刻形成第一溝槽；

步驟3、在芯片表面制作保護金屬層，蝕刻形成第二溝槽；

步驟4、蝕刻InGaAlN多層結構至N型GaN層，形成第三溝槽做N電極孔；

步驟5、蝕刻在預設位置第三溝槽內蝕刻InGaAlN多層結構，一直蝕刻至藍寶石襯底層并露出襯底，形成第四溝槽，蝕刻第四溝槽后形成M個芯片單元，M大于等于2；

步驟6、沉積第一鈍化層，第一鈍化層包覆整個芯片表面以及第三、第四溝槽側壁。蝕刻保護金屬層上第一鈍化層從而沉積金屬層形成P電極，蝕刻第三溝槽N電極孔第一化層并在N電極孔內沉積金屬并將多個N電極孔連接起來形成的N電極，并且把相鄰兩個單元N電極與P電極連起來。

步驟7、在整個芯片上再沉積形成第二鈍化層，把第一個單元P電極上第二鈍化層蝕刻一個區域出來沉積金屬層形成P焊墊，把第M個單元N電極上的第二鈍化層蝕刻出一個區域沉積金屬層形成N焊墊。