[發(fā)明專利]一種導(dǎo)電布及其專用生產(chǎn)設(shè)備和生產(chǎn)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201511023404.3
• 申請日: 2015-12-29
• 公開（公告）號: CN105421040B
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李家樑
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州市新景機(jī)電股份有限公司
• 主分類號: D06M11/83
• 分類號: D06M11/83
• 代理公司: 廣州市華學(xué)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245
• 代理人: 陳燕嫻;鄭浦娟

1.一種導(dǎo)電布的專用生產(chǎn)設(shè)備，包括鍍膜腔室，其特征在于，還包括用于向鍍膜腔室內(nèi)充入氣體的氣體壓強(qiáng)控制系統(tǒng)、用于控制鍍膜腔室內(nèi)溫度的溫控系統(tǒng)、用于為鍍膜腔室提供陽極層型離子源的離子表面處理裝置以及控制鍍膜腔室內(nèi)真空度的真空抽氣系統(tǒng)；鍍膜腔室的其中兩端分別設(shè)置有放卷裝置和收卷裝置，其中放卷裝置和收卷裝置之間設(shè)置有多排磁控濺射靶，相鄰排磁控濺射靶之間形成鍍膜通道，相鄰兩排鍍膜通道之間設(shè)置有冷卻輥，放卷裝置出來的導(dǎo)電布基材通過各鍍膜通道以及繞過各冷卻輥后由收卷裝置進(jìn)行收卷，離子表面處理裝置設(shè)置在放卷裝置出來的鍍膜通道前端的兩側(cè)，向經(jīng)過鍍膜通道的導(dǎo)電布基材提供陽極層型離子源；

離子表面處理裝置包括外陰極、內(nèi)陰極、磁鐵、陽極和氣體通道；其中外陰極為頂部開有口的方形結(jié)構(gòu)，外陰極頂部開口處設(shè)置有內(nèi)部陰極，在外陰極內(nèi)底部與內(nèi)陰極底部之間設(shè)置有磁鐵，陽極設(shè)置于外陰極、內(nèi)陰極和磁鐵圍成的空間中，氣體通道設(shè)置在外陰極底部，氣體通過外陰極底部進(jìn)入到外陰極、內(nèi)陰極和磁鐵圍成的空間中；所述放卷裝置包括放卷筒和第一引導(dǎo)輥，放卷裝置出來的導(dǎo)電布基材通過第一引導(dǎo)輥后傳入到鍍膜通道中，所述第一引導(dǎo)輥的個數(shù)為一個或多個。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電布的專用生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述每排磁控濺射靶中包括3個以上磁控濺射靶。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電布的專用生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述收卷裝置包括收卷筒和第二引導(dǎo)輥，導(dǎo)電布基材穿過鍍膜通道后通過第二引導(dǎo)輥收卷入收卷筒中，所述第二引導(dǎo)輥的個數(shù)為一個或多個。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電布的專用生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述氣體壓強(qiáng)控制系統(tǒng)為氬氣、氮?dú)饣蜓鯕鈿怏w壓強(qiáng)控制系統(tǒng)，即氣體壓強(qiáng)控制系統(tǒng)充入到鍍膜腔室的氣體為氬氣、氮?dú)饣蜓鯕狻?/p>

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電布的專用生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，放卷裝置出來的鍍膜通道以及進(jìn)入收卷裝置的鍍膜通道兩側(cè)的磁控濺射靶均為平面磁控濺射靶；放卷裝置出來的鍍膜通道和進(jìn)入收卷裝置的鍍膜通道之間的鍍膜通道兩側(cè)的磁控濺射靶為圓柱磁控濺射靶。

6.一種權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電布的專用生產(chǎn)設(shè)備的導(dǎo)電布的生產(chǎn)方法，其特征在于，步驟如下：

S1、將導(dǎo)電布基材投入到真空室中；

S2、控制真空室常壓加溫至80～120℃，保溫時間t1后將真空室抽真空至A，真空度到達(dá)A后破氣；然后執(zhí)行步驟S3；

S3、破氣完成后，將真空室加熱至130～170℃，保溫時間t2后抽真空至B，真空度到達(dá)B后破氣；然后執(zhí)行步驟S4；

S4、破氣完成后，將真空室加熱至180～220℃，保溫時間t3后抽真空至C，真空度到達(dá)C后破氣；然后執(zhí)行步驟S5；

S5、破氣完成后，將真空室加熱至230～270℃，保溫時間t4后抽真空至D，真空度到達(dá)D后破氣；然后執(zhí)行步驟S6；

S6、破氣完成后，將真空室抽真空E，同時加熱至280～320℃；保溫時間t5后，自然降溫到T；

S7、將步驟S6處理后的導(dǎo)電布基材從真空室取出后裝入鍍膜設(shè)備沉積導(dǎo)電層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的導(dǎo)電布的生產(chǎn)方法，其特征在于，時間t1為10～15分鐘，A為1～10Pa；時間t2為10～15分鐘，B為1～10Pa；時間t3為10～15分鐘，C為1～10Pa；時間t4為10～30分鐘，D為0.1～1Pa；E為0.005～0.05Pa，t5為45-90分鐘；所述T為160～200℃。