[發明專利]一種整流器及其制作方法

在審

• 申請號: 201511020701.2
• 申請日: 2015-12-31
• 公開（公告）號: CN106935637A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 周東飛;鐘圣榮
• 申請（專利權）人: 無錫華潤華晶微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/8234
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆,胡彬

1.一種整流器的制作方法，其特征在于，包括：

在第一導電類型半導體襯底上依次形成外延層和隔離氧化層；

在所述外延層內形成多個第一導電類型源區，并在每個所述第一導電類型源區內形成一溝槽，所述溝槽貫穿所述第一導電類型源區并延伸至所述外延層內部；

依次形成第一柵氧化層和第一摻雜多晶硅，所述第一柵氧化層覆蓋所述溝槽側壁和底部，所述第一摻雜多晶硅填充所述溝槽；

刻蝕所述第一摻雜多晶硅，且殘留所述第一摻雜多晶硅覆蓋所述溝槽底部的所述第一柵氧化層；

刻蝕未被所述第一摻雜多晶硅覆蓋的所述第一柵氧化層以及隔離氧化層，且殘留所述第一柵氧化層覆蓋所述溝槽底部以及所述溝槽底部與所述溝槽側壁的拐角處；

依次形成覆蓋所述溝槽側壁的第二柵氧化層以及填充所述溝槽的第二摻雜多晶硅；依次去除所述溝槽周圍區域的所述第二摻雜多晶硅、所述第二柵氧化層，以及所述隔離氧化層；

在所述外延層內的所述溝槽周圍形成第二導電類型體區；

在所述第二導電類型體區、所述溝槽上方形成第一電極，在所述第一導電類型半導體襯底遠離所述外延層一側形成第二電極；

其中，所述第二柵氧化層的厚度小于所述第一柵氧化層的厚度，所述第一導電類型和所述第二導電類型相反。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述外延層包括第一區域和圍繞所述第一區域的第二區域，所述溝槽位于所述外延層的第一區域內； 在第一導電類型半導體襯底上形成所述外延層之后，形成所述隔離氧化層之前，還包括：

在所述外延層的第二區域內形成至少一個第二導電類型的終端保護環。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一柵氧化層的厚度為500至1500埃，所述第二柵氧化層的厚度為60至200埃。

5.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述外延層的第二區域內形成至少一個第二導電類型的終端保護環，包括:利用光刻膠作為掩蔽層對所述外延層的第二區域進行硼離子注入形成所述終端保護環。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述外延層內形成多個第一導電類型源區，包括：

在所述外延層上方淀積一層等硅酸乙酯TEOS；

采用溝槽圖形光刻板對所述TEOS以及所述隔離氧化層進行刻蝕，并利用所述TEOS作為掩膜進行磷離子注入，形成所述多個第一導電類型源區。

7.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，在形成所述隔離氧化層之后還包括：對所述終端保護環進行退火處理。

8.一種整流器，其特征在于，包括：

第一導電類型半導體襯底；

位于所述第一導電類型半導體襯底上方的外延層；所述外延層內設置有多個溝槽，所述溝槽外側設置有第一導電類型源區以及第二導電類型體區；所述溝槽的底部以及所述溝槽底部與所述溝槽側壁的拐角處覆蓋有第一柵氧化層， 所述溝槽的側壁覆蓋有第二柵氧化層；從所述溝槽的底部向上，所述溝槽內部依次填充有第一摻雜多晶硅和第二摻雜多晶硅；

位于所述第二導電類型體區以及所述溝槽上方的第一電極；

位于所述第一導電類型半導體襯底遠離所述外延層一側的第二電極；

其中，所述第二柵氧化層的厚度小于所述第一柵氧化層的厚度，所述第一導電類型和所述第二導電類型相反。

9.根據權利要求8所述的整流器，其特征在于，所述外延層包括第一區域和圍繞所述第一區域的第二區域，所述溝槽位于所述外延層的第一區域內；所述外延層的第二區域內設置有至少一個第二導電類型的終端保護環。

10.根據權利要求8所述的整流器，其特征在于，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。