[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201511019724.1 | 申請日: | 2015-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN105742324B | 公開(公告)日: | 2019-01-08 |
| 發明(設計)人: | 金珉朱;白正善;張真稀;金南龍 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
公開了有機發光顯示裝置及其制造方法,所述有機發光顯示裝置及其制造方法能夠在不添加單獨的掩模處理的情況下或者在減少掩模處理的數目的同時減小第二電極的電阻和防止焊盤電極的腐蝕和金屬遷移。在有機發光顯示裝置中,輔助線通過在與第一電極相同的層中設置的輔助電極連接到第二電極,且焊盤覆蓋電極配置為覆蓋焊盤連接電極的上表面和側表面,從而防止連接到焊盤的焊盤連接電極向外暴露。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2014年11月12日提交的韓國專利申請第10-2014-0191883號和于2015年3月31日提交的韓國專利申請第2015-0045410號的權益,在此援引這兩件專利申請的全部內容作為參考。
技術領域
本發明涉及有機發光顯示裝置及其制造方法,以及更加具體地涉及有機發光顯示裝置及其制造方法,這種有機發光顯示裝置及其制造方法能夠在不添加單獨的掩模處理的情況下,或者在減少掩模處理的數目的同時減小第二電極的電阻和防止焊盤電極的腐蝕和金屬遷移。
背景技術
有機發光顯示(OLED)裝置是自發光裝置,且由于其低功耗、快響應速度、高發光效率、高亮度和寬視角而正作為下一代平板顯示裝置受到關注。
OLED裝置根據經由有機發光元件發射的光穿過的方向被劃分為頂部發光型OLED裝置和底部發光型OLED裝置。近年來,因為底部發光型OLED裝置導致孔徑比的惡化,主要地使用頂部發光型OLED裝置。
圖1是圖示現有的頂部發光型有機發光顯示裝置的示意性截面圖。
現有的頂部發光型有機發光顯示裝置包括基板10、薄膜晶體管T、鈍化層20、平坦化層30、第一電極40、輔助電極50、堤部60、有機發光層70和第二電極80。
雖然圖1中未示出,柵極線和數據線交叉形成在基板10上以限定多個像素區域,且在每一像素區域中設置薄膜晶體管T。
在基板10的整個表面上方設置鈍化層20從而覆蓋薄膜晶體管T,且平坦化層30覆蓋鈍化層20的整個表面。
第一電極40設置在平坦化層30上且電連接到薄膜晶體管T。在該情況下, 第一電極40可以包括例如Ag合金層的高反射率材料。
輔助電極50與第一電極40設置在相同的層中。輔助電極50連接到第二電極80且用于減小第二電極80的電阻。
在每一像素區域的邊界處設置堤部60。堤部60設置在第一電極40和輔助電極50之間從而將第一電極40和輔助電極50彼此絕緣。有機發光層70設置在第一電極40上。
第二電極80設置在基板10的整個表面上方并連接到輔助電極50。第二電極80可以由具有幾百埃或者更小的厚度的薄金屬材料的形成。
在上面描述的現有的發光型有機發光顯示裝置中,因為第二電極80很薄,所以能夠稍微地增加第二電極80的電阻。雖然如上所述第二電極80可以連接到輔助電極50以減小第二電極80的電阻,因為輔助電極50需要與第一電極40設置在相同的層中,關于輔助電極50尺寸的任何增加存在空間限制。因此,對第二電極80的電阻可被減小的程度存在限制。
另外,雖然圖1中未示出,當在基板10上的像素區域中設置薄膜晶體管T的源極電極14和漏極電極15時,焊盤電極可以設置在基板10上的焊盤區域中。但是,焊盤電極易受腐蝕,且在后續處理期間可能在焊盤區域中發生腐蝕和金屬遷移。雖然可以添加僅用于焊盤區域的單獨的處理,以防止焊盤區域的腐蝕和金屬遷移,在該情況下,顯示裝置的生產效率可能由于添加該處理而惡化。
發明內容
因此,本發明涉及實質上避免由于現有技術的限制和缺點導致的一個或多個問題的有機發光顯示裝置及其制造方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





