[發明專利]非晶硅太陽能電池復合p1層及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 201511019718.6
• 申請日: 2015-12-30
• 公開（公告）號: CN105428428A
• 公開（公告）日: 2016-03-23
• 發明（設計）人: 李沅民;何顏玲;彭長濤;許永元;沈章大;蘭邦銀
• 申請（專利權）人: 福建鉑陽精工設備有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/20;C23C16/44;C23C16/52
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.非晶硅太陽能電池復合p1層的制備方法，其特征在于：在TCO玻璃上，依次交替沉積摻雜的SiOx和不摻雜的SiC，交替沉積2～5次，沉積總層數為4～10層。

2.根據權利要求1所述非晶硅太陽能電池復合p1層的制備方法，其特征在于：沉積采用等離子增強化學氣相沉積法。

3.根據權利要求1或2所述非晶硅太陽能電池復合p1層的制備方法，其特征在于：所述摻雜的SiOx的帶隙為1.9～2.1eV，厚度為1～3nm，其中摻TMB與H₂的氣體濃度為5～10％的TMB。

4.根據權利要求1或2所述非晶硅太陽能電池復合p1層的制備方法，其特征在于：所述SiC的帶隙為1.9～2.2eV，厚度為1～3nm。

5.根據權利要求1～4任一項所述非晶硅太陽能電池復合p1層的制備方法，其特征在于：復合p1層的沉積參數為:SiH₄/H₂＝5％～10％，CO₂/H₂＝70％～95％，TMB/H₂＝5％～10％，沉積時間為10～40S，沉積功率為190～300W，占空比為25％～66％；復合p1層中的SiC的沉積參數為SiH₄/H₂＝10％～20％，CH₄/H₂＝25％～45％，沉積時間為10～40S，沉積功率為190～300W，占空比為25％～66％。

6.根據權利要求5所述非晶硅太陽能電池復合p1層的制備方法，其特征在于：復合p1層的沉積參數為SiH₄/H₂＝8％，CO₂/H₂＝85％，TMB/H₂＝8％，沉積時間為30S，沉積功率為220W，占空比為50％；復合p1層中的SiC的沉積參數為SiH₄/H₂＝17％，CH₄/H₂＝30％，沉積時間為25S，沉積功率為220W，占空比為50％。

7.權利要求1～6所述方法制備的非晶硅太陽能電池復合p1層。

8.根據權利要求7所述非晶硅太陽能電池復合p1層，其特征在于：所述復合P1層是由摻雜的SiOx和SiC交替沉積而成。

9.權利要求7～8所述非晶硅太陽能電池復合p1層用于不同背電極的光伏產品的用途。

10.根據權利要求9所述非晶硅太陽能電池復合p1層用于不同背電極的光伏產品的用途，其特征在于：所述不同背電極的光伏產品為分布式電站，光伏建筑一體化及農業光伏組件中的一種。