[發(fā)明專利]用于射線輻照實(shí)驗(yàn)的探針臺(tái)系統(tǒng)及實(shí)驗(yàn)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201511018687.2 | 申請(qǐng)日: | 2015-12-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105652174B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-07-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 池雅慶;梁斌;孫永節(jié);郭陽(yáng);陳書(shū)明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)人民解放軍國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01R31/26 | 分類號(hào): | G01R31/26;G01R31/28 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周長(zhǎng)清 |
| 地址: | 410073 湖南省長(zhǎng)沙市硯瓦池正街47號(hào)中國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 射線 輻照 實(shí)驗(yàn) 探針 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種用于射線輻照實(shí)驗(yàn)的探針臺(tái)系統(tǒng),其特征在于,它包括:
探針(17),固定在探針座(7)上;
探針臺(tái)(2),包括探針臺(tái)架(11)和樣品托板(13),所述樣品托板(13)上安裝有用來(lái)放置待測(cè)芯片(15)的射線輻射屏蔽盒(14);在所述射線輻射屏蔽盒(14)上與探針(17)對(duì)著的側(cè)面壁上設(shè)有狹縫,所述探針(17)的尖端通過(guò)狹縫進(jìn)入射線輻射屏蔽盒(14)接觸待測(cè)芯片(15)的輸入輸出接口;
顯微鏡(12)和射線發(fā)生裝置(3),安裝在探針臺(tái)(2)的探針臺(tái)架(11)上,且所述顯微鏡(12)和射線發(fā)生裝置(3)在探針臺(tái)架(11)上可移動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于射線輻照實(shí)驗(yàn)的探針臺(tái)系統(tǒng),其特征在于,所述狹縫處覆蓋有一擋片(16),所述擋片(16)用來(lái)包裹探針(17)的周?chē)苑乐股渚€泄露。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于射線輻照實(shí)驗(yàn)的探針臺(tái)系統(tǒng),其特征在于,所述擋片(16)為鉛橡膠片。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于射線輻照實(shí)驗(yàn)的探針臺(tái)系統(tǒng),其特征在于,所述擋片(16)上開(kāi)設(shè)有供探針(17)穿過(guò)的縫。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任意一項(xiàng)所述的用于射線輻照實(shí)驗(yàn)的探針臺(tái)系統(tǒng),其特征在于,所述射線輻射屏蔽盒(14)上還設(shè)有供顯微鏡(12)和射線發(fā)生裝置(3)穿過(guò)的孔(18);所述射線發(fā)生裝置(3)伸入射線輻射屏蔽盒(14)時(shí)與孔(18)形成卡合配合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任意一項(xiàng)所述的用于射線輻照實(shí)驗(yàn)的探針臺(tái)系統(tǒng),其特征在于,所述射線發(fā)生裝置(3)通過(guò)線纜(6)連接射線發(fā)射控制器(5),所述探針臺(tái)(2)的探針座(7)通過(guò)導(dǎo)線(8)連接測(cè)試系統(tǒng)(4)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于射線輻照實(shí)驗(yàn)的探針臺(tái)系統(tǒng),其特征在于,還包括一輻射防護(hù)暗箱(1),所述探針臺(tái)(2)、射線發(fā)生裝置(3)、顯微鏡(12)、待測(cè)芯片(15)均設(shè)置在輻射防護(hù)暗箱(1)內(nèi)部;所述測(cè)試系統(tǒng)(4)和射線發(fā)射控制器(5)位于輻射防護(hù)暗箱(1)外。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于射線輻照實(shí)驗(yàn)的探針臺(tái)系統(tǒng),其特征在于,所述輻射防護(hù)暗箱(1)的內(nèi)壁上貼設(shè)有防輻射層。
9.一種基于上述權(quán)利要求1~8中任意一項(xiàng)用于射線輻照實(shí)驗(yàn)的探針臺(tái)系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)方法,其特征在于,步驟為:
S1:將射線發(fā)生裝置(3)通過(guò)射線輻射屏蔽盒(14)上的孔(18)伸入到射線輻射屏蔽盒(14)中,對(duì)待測(cè)芯片(15)進(jìn)行射線照射;
S2:完成射線照射后,關(guān)閉射線發(fā)生裝置(3);
S3:移動(dòng)顯微鏡(12)至射線輻射屏蔽盒(14)的上方,將顯微鏡(12)伸入到射線輻射屏蔽盒(14)中,觀察待測(cè)芯片(15)的性能。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的實(shí)驗(yàn)方法,其特征在于,當(dāng)探針(17)的尖端接觸待測(cè)芯片(15)的輸入輸出接口之后,在對(duì)待測(cè)芯片(15)進(jìn)行射線輻射之前,先通過(guò)顯微鏡(12)對(duì)探針(17)尖端與待測(cè)芯片(15)的接觸進(jìn)行調(diào)整;當(dāng)對(duì)待測(cè)芯片(15)進(jìn)行射線輻照實(shí)驗(yàn)時(shí),將探針臺(tái)(2)的顯微鏡(12)從射線輻射屏蔽盒(14)中取出,再將射線發(fā)生裝置(3)的伸入射線輻射屏蔽盒(14)中。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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