[發明專利]圖案化襯底及光電半導體元件

在審

• 申請號: 201511016860.5
• 申請日: 2015-12-30
• 公開（公告）號: CN105742440A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 邱正宇;李俊億;陳俊宏
• 申請（專利權）人: 嘉德晶光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L51/50;H01L31/0236
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 徐東升;趙蓉民

1.一種圖案化襯底，包括：

襯底，具有表面；

微結構，配置于該襯底的該表面；以及

納米結構，形成于該襯底的該表面或該微結構上，

其中，該納米結構包含納米凸起部或納米凹陷部。

2.根據權利要求1所述的圖案化襯底，其中該微結構凸出于該表面或凹陷于該表面，或其組合。

3.根據權利要求1所述的圖案化襯底，其中該微結構的形狀為三角形、矩形、圓形或多邊形，或其組合。

4.根據權利要求1所述的圖案化襯底，其中該納米凸起部或該納米凹陷部形成于該微結構上。

5.根據權利要求1所述的圖案化襯底，其中該納米凸起部或該納米凹陷部形成于該微結構的周邊。

6.根據權利要求1所述的圖案化襯底，其中該納米凸起部或該納米凹陷部的形狀為三角形、矩形、圓形或多邊形，或其組合。

7.根據權利要求1所述的圖案化襯底，其中該襯底的該表面無田埂結構或條狀結構。

8.根據權利要求1所述的圖案化襯底，其中該襯底為藍寶石襯底、氮化鎵襯底、硅襯底、碳化硅襯底、尖晶石襯底、高分子襯底、二氧化硅襯底、氮化硅襯底、氮化鋁襯底、鉆石襯底、或類鉆碳襯底。

9.根據權利要求8所述的圖案化襯底，其中該藍寶石襯底為C面(0001)藍寶石襯底。

10.一種光電半導體元件，包括：

如權利要求1至9的其中任一項所述的圖案化襯底；以及

光電半導體單元，設置于該圖案化襯底上。

11.根據權利要求10所述的光電半導體元件，其為發光二極管、有機發光二極管或太陽能電池。

12.根據權利要求10所述的光電半導體元件，其中該光電半導體單元包括第一半導體層及第二半導體層依序設置于該圖案化襯底上。

13.根據權利要求12所述的光電半導體元件，其中該第一半導體層為P型半導體層，該第二半導體層為N型半導體層；或者該第一半導體層為N型半導體層，該第二半導體層為P型半導體層。

14.根據權利要求10項所述的光電半導體元件，其為水平式、垂直式或覆晶式光電半導體元件。