[發(fā)明專(zhuān)利]一種硬盤(pán)用鋁基鋁鎂合金基片及其制備工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201511014773.6
• 申請(qǐng)日: 2015-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105568084A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李玉梅;高艷麗;湯培杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 新疆眾和股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C22C21/06
• 分類(lèi)號(hào): C22C21/06;C22C21/08;C22F1/047
• 代理公司: 北京中恒高博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11249
• 代理人: 牟彩萍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種硬盤(pán)用鋁基鋁鎂合金基片的制備工藝，屬于鋁合金材料領(lǐng)域。

背景技術(shù)

作為計(jì)算機(jī)硬盤(pán)的信息存儲(chǔ)載體，鋁鎂合金基板需要均勻涂覆磁性膜，在磁頭高 速運(yùn)動(dòng)中保證磁性膜平面能夠穩(wěn)定讀寫(xiě)。為了滿足輕質(zhì)，剛性好，平面度和粗糙度優(yōu)良，易 于加工的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)為了實(shí)現(xiàn)無(wú)表面凹凸，特選用4N6及以上高純鋁作為鋁基體，設(shè)計(jì)鋁鎂 合金，通過(guò)合適的鑄造工藝、熱處理和熱軋、冷軋工藝，減少金屬間化合物，降低材料缺陷 率，增強(qiáng)合金耐蝕性能。專(zhuān)利中所用高純?cè)蠞M足GB/T8644-2000和YS/T275-2008的規(guī)定。

2014年8TB容量的3.5寸機(jī)械硬盤(pán)已經(jīng)量產(chǎn)，單碟容量高達(dá)1.6TB。隨著電子信息行 業(yè)的不斷進(jìn)步，電子消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)高容量存儲(chǔ)設(shè)備磁記錄密度提出了更高的要求。鋁鎂合金 基片作為襯底，通過(guò)實(shí)施堿洗、酸洗、鍍鋅、無(wú)電解NiP鍍覆處理，實(shí)現(xiàn)磁性載體的制備。鋁鎂 合金的缺陷、金屬間化合物影響磁性材料的鍍覆結(jié)果，其表現(xiàn)在鋁鎂合金基片上存在的表 面凹凸降低鍍膜表面的平滑性。

硬盤(pán)用鋁鎂合金基片最初采用5086合金，當(dāng)前使用的合金成分在5086的基礎(chǔ)上進(jìn) 行了歷次調(diào)整，主要成分含有Mg，Si，F(xiàn)e，Cr，Zn，Cu，這些元素尤其是Si、Fe容易形成粗大的 金屬間化合物，形成的Mg-Si系和Al-Fe系金屬間化合物會(huì)造成電鍍前處理時(shí)脫落后形成大 小不一的孔洞缺陷，這樣在無(wú)電解鍍覆處理時(shí)，鍍的膜深淺不一，影響成膜質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有的難題，提供了一種表面金屬間化合物少的 硬盤(pán)用鋁基鋁鎂合金基片；

本發(fā)明的另一目的是提供上述硬盤(pán)用鋁基鋁鎂合金基片的制備工藝。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了如下的技術(shù)方案：

一種硬盤(pán)用鋁基鋁鎂合金基片，包括如下質(zhì)量百分比的成分：

Mg：3.5-6.0%，Cr：0.05-0.1%，Cu：0.01-0.1%，Zn：0.05-0.4%，Si≤0.01%，F(xiàn)e≤0.01%。

優(yōu)選的，采用原料為各元素高純基體，其中包括：鋁高純基體采用4N6及純度4N6以 上的鋁基體、Mg、Cr、Cu、Zn元素純度基體的純度為4N9及4N9以上。

優(yōu)選的，原料經(jīng)過(guò)熔鑄→均熱熱軋→冷軋→沖壓成型→清洗烘干→加壓退火→形 成鋁基盤(pán)片，即硬盤(pán)用鋁基鋁鎂合金基片。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述熔鑄工序，從熔煉保溫爐流出的合金液首先經(jīng)過(guò)在線除氣裝 置處理，通過(guò)惰性氣體的石墨轉(zhuǎn)子對(duì)合金液進(jìn)行攪拌。

進(jìn)一步優(yōu)選的，冷扎后的鋁鎂合金板材通過(guò)沖床沖壓成環(huán)狀盤(pán)片。

進(jìn)一步優(yōu)選的，清洗烘干過(guò)程，通過(guò)清洗清除前期帶油。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述加壓退火，通過(guò)施加噸的壓力，并持續(xù)壓力下進(jìn)行退火處理。

本發(fā)明有益效果：

本發(fā)明硬盤(pán)用鋁基鋁鎂合金基片，通過(guò)限定Si和Fe的含量，達(dá)到Al-Fe系金屬間化合物 的最大長(zhǎng)度為6m以下，Mg-Si系金屬間化合物的最大長(zhǎng)度為3m以下。所形成的金屬間化合物 的非常少，萊卡顯微鏡500x視野下，金屬間化合物的腐蝕孔數(shù)量小于等于50個(gè)。

本發(fā)明制備工藝所述鋁鎂合金基片所用鋁基體使用4N6的高純鋁時(shí)，通過(guò)在線除 氣除渣處理，鋁鎂合金基片0.1mm²內(nèi)金屬間化合物的數(shù)量不超過(guò)15個(gè)。所述鋁鎂合金基片 所用鋁基體使用5N的高純鋁，通過(guò)在線除氣除渣處理，鋁鎂合金基片0.1mm²內(nèi)金屬間化合 物的數(shù)量不超過(guò)10個(gè)。所述鋁鎂合金基片所用鋁基體使用5N5的高純鋁，通過(guò)在線除氣除渣 處理，鋁鎂合金基片0.1mm²內(nèi)金屬間化合物的數(shù)量不超過(guò)5個(gè)。

具體實(shí)施方式

以下對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的優(yōu)選實(shí)施例僅用 于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

實(shí)施例1：