[發明專利]電子裝置和半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201511009747.4
• 申請日: 2011-08-26
• 公開（公告）號: CN105633056B
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 吉原郁夫;梅林拓;高橋洋;吉田博信
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L27/146;H01L21/48
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 曹正建;陳桂香

1.一種電子裝置，其包括：

第一半導體芯片，包括：

第一半導體基板；

第一布線層，其具有第一布線部和第一絕緣層，其中所述第一布線部延伸到所述第一布線層的外圍區域；和

第二半導體芯片，其堆疊在所述第一半導體芯片上，所述第二半導體芯片包括：

第二半導體基板；

第二布線層，其具有第二布線部和第二絕緣層，其中所述第二布線部延伸到所述第二布線層的外圍區域，其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的相對表面彼此結合，并且其中在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的所述相對表面處不暴露所述第一布線部和所述

第二布線部，并且

其中，所述第一布線部與所述第二布線部通過在所述第一半導體芯片的外圍區域處以及在所述第二半導體芯片的外圍區域處的導電部彼此電連接。

2.根據權利要求1所述的電子裝置，

其中，所述第一半導體芯片比所述第二半導體芯片薄，且

其中，所述第二半導體芯片設置成用于支撐所述第一半導體芯片的支撐基板。

3.根據權利要求2所述的電子裝置，

其中，在所述第一半導體芯片中形成像素，每個所述像素包括光電轉換部，且

其中，所述光電轉換部設置成用于接收從所述第一半導體芯片的表面入射的入射光，所述表面處于所述第一半導體芯片的堆疊有所述第二半導體芯片的表面的對面側。

4.根據權利要求2所述的電子裝置，其中，所述第一半導體芯片包括半導體存儲器元件。

5.根據權利要求2所述的電子裝置，其中，所述第一半導體芯片包括形成在SOI基板上的半導體元件。

6.根據權利要求3所述的電子裝置，其中，所述第二半導體芯片包括信號處理電路。

7.根據權利要求1所述的電子裝置，

其中，所述第一布線層堆疊在所述第一半導體基板上，其中所述第一布線部形成在所述第一絕緣層中，

其中，所述第二布線層堆疊在所述第二半導體基板上，并且，其中所述第二布線部形成在所述第二絕緣層中。

8.一種半導體器件的制造方法，包括：

在第一半導體芯片上堆疊第二半導體芯片；

將第一布線部的外圍區域和第二布線部的外圍區域暴露在堆疊體的外圍區域處，所述第一布線部形成在所述第一半導體芯片上，并且所述第二布線部形成在所述第二半導體芯片上，所述堆疊體中堆疊有所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片，其中所述第一布線部包括在所述第一半導體芯片的第一布線層中，其中所述第二布線部包括在所述第二半導體芯片的第二布線層中，其中所述第一布線層的第一表面結合到所述第二布線層的第一表面，其中在所述第一布線層的所述第一表面處不暴露所述第一布線部，并且其中在所述第二布線層的所述第一表面處不暴露所述第二布線部；和

通過在所述第一半導體芯片的外圍區域和所述第二半導體芯片的外圍區域處設置導電層，使得所述第一布線部和所述第二布線部彼此電連接。

9.根據權利要求8所述的半導體器件的制造方法，

其中，形成所述第一半導體芯片包括：在第一半導體基板上堆疊所述第一布線層，所述第一布線層中的所述第一布線部形成在絕緣層中，

其中，形成所述第二半導體芯片包括：在第二半導體基板上堆疊所述第二布線層，所述第二布線層中的所述第二布線部形成在絕緣層中，且

其中，在堆疊所述第二半導體芯片的步驟中，所述第一布線層和所述第二布線層彼此相對，并且所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片的相對表面彼此結合。

10.根據權利要求9所述的半導體器件的制造方法，

其中，形成所述第一半導體芯片還包括將所述第一半導體基板薄化，且

其中，在將所述第一半導體基板薄化的步驟中，在通過堆疊所述第二半導體芯片的步驟將所述第二半導體芯片堆疊并支撐在所述第一半導體芯片上之后，將所述第一半導體基板薄化。